Snizhko, K., Cheianov, V., & Simon, S. (2012). Importance of interband transitions for the fractional quantum Hall effect in bilayer graphene.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Snizhko, K., V. Cheianov, و S. Simon. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الإصدار التاسع)Snizhko, K., et al. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.