Snizhko, K., Cheianov, V., & Simon, S. (2012). Importance of interband transitions for the fractional quantum Hall effect in bilayer graphene.
Style de citation Chicago (17e éd.)Snizhko, K., V. Cheianov, et S. Simon. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
Style de citation MLA (9e éd.)Snizhko, K., et al. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
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