Snizhko, K., Cheianov, V., & Simon, S. (2012). Importance of interband transitions for the fractional quantum Hall effect in bilayer graphene.
Cytowanie według stylu Chicago (wyd. 17)Snizhko, K., V. Cheianov, i S. Simon. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
Cytowanie według stylu MLA (wyd. 9)Snizhko, K., et al. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
Uwaga: Te cytaty mogą odróżniać się od wytycznej twojego fakultetu..