Snizhko, K., Cheianov, V., & Simon, S. (2012). Importance of interband transitions for the fractional quantum Hall effect in bilayer graphene.
Citação norma ChicagoSnizhko, K., V. Cheianov, and S. Simon. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
Citação norma MLASnizhko, K., et al. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
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