Snizhko, K., Cheianov, V., & Simon, S. (2012). Importance of interband transitions for the fractional quantum Hall effect in bilayer graphene.
Citação do estilo Chicago (17ª ed.)Snizhko, K., V. Cheianov, e S. Simon. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
Citação MLA (9ª ed.)Snizhko, K., et al. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
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