Snizhko, K., Cheianov, V., & Simon, S. (2012). Importance of interband transitions for the fractional quantum Hall effect in bilayer graphene.
Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)Snizhko, K., V. Cheianov, и S. Simon. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
Цитирование MLA (9-е изд.)Snizhko, K., et al. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
Предупреждение: эти цитированмия не могут быть всегда правильны на 100%.