Стиль цитування APA (7-ме видання)

Snizhko, K., Cheianov, V., & Simon, S. (2012). Importance of interband transitions for the fractional quantum Hall effect in bilayer graphene.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Snizhko, K., V. Cheianov, та S. Simon. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.

Стиль цитування MLA (9-ме видання)

Snizhko, K., et al. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.