Snizhko, K., Cheianov, V., & Simon, S. (2012). Importance of interband transitions for the fractional quantum Hall effect in bilayer graphene.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Snizhko, K., V. Cheianov, và S. Simon. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Snizhko, K., et al. Importance of Interband Transitions for the Fractional Quantum Hall Effect in Bilayer Graphene. 2012.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.