Quantum dots and nanowires for optoelectronic device applications

Quantum dots and nanowires for optoelectronic device applications

InGaAs quantum dots (QDs) and nanowires have been grown on GaAs by metal-organic chemical vapour deposition on GaAs (100) and (111)B substrates, respectively. InGaAs QD lasers were fabricated and characterised. Results show ground-state lasing at about 1150 nm in devices with lengths greater than 2....

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Gao, Q, Kim, Y, Joyce, H, Lever, P, Mokkapati, S, Buda, M, Tan, H, Jagadish, C
Формат:	Conference item
Опубліковано:	2006

Схожі ресурси

Quantum dots and nanowires for photonics applications
за авторством: Mokkapati, S, та інші
Опубліковано: (2006)

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Mokkapati, S, та інші
Опубліковано: (2013)

III-V nanowires for optoelectronic applications
за авторством: Tan, H, та інші
Опубліковано: (2013)

Nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Gao, Q, та інші
Опубліковано: (2009)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2011)

Compound semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Gao, Q, та інші
Опубліковано: (2011)

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2011)

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2011)

III-V compound semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Gao, Q, та інші
Опубліковано: (2011)

Growth, structural and optical properties of III-V nanowires for optoelectronic applications
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2007)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
за авторством: Wang, H, та інші
Опубліковано: (2012)

Epitaxy of III-V semiconductor nanowires towards optoelectronic devices
за авторством: Gao, Q, та інші
Опубліковано: (2009)

III-V nanowires for optoelectronic applications
за авторством: Tan, H, та інші
Опубліковано: (2012)

Multiple Wavelength InGaAs Quantum Dot Lasers Using Ion Implantation Induced Intermixing
за авторством: Buda M, та інші
Опубліковано: (2007-01-01)

Growth, structural and optical properties of high quality gaAs nanowires for optoelectronics
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2008)

MOCVD-grown indium phosphide nanowires for optoelectronics
за авторством: Paiman, Suriati, та інші
Опубліковано: (2014)

Quantum dot nanomaterials: Empowering advances in optoelectronic devices
за авторством: Mariam Akter Mimona, та інші
Опубліковано: (2025-03-01)

Growth of III-V nanowires and nanowire heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2007)

Colloidal quantum dot optoelectronics and photovoltaics /
за авторством: Konstantatos, Gerasimos, 1979-, та інші
Опубліковано: (2013)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2007)

Nanowire-based electronic and optoelectronic devices
за авторством: Dubcoveţchi, Iurie
Опубліковано: (2015-11-01)

Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers
за авторством: Saxena, D, та інші
Опубліковано: (2013)

Structural and optical properties of III-V nanowires and nanowire heterostructures grown by metalorganic chemical vapour deposition
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2007)

Compound semiconductor optoelectronics research at the Australian National University
за авторством: Tan, H, та інші
Опубліковано: (2005)

Quantum dots and nanowires /
за авторством: Bandyopadhyay, Supriyo, 1958-, та інші
Опубліковано: (2003)

Integration of Colloidal Quantum Dots with Photonic Structures for Optoelectronic and Optical Devices
за авторством: Mengyu Chen, та інші
Опубліковано: (2021-09-01)

Orthogonal colloidal quantum dot inks enable efficient multilayer optoelectronic devices
за авторством: Seungjin Lee, та інші
Опубліковано: (2020-09-01)

SILICON-GERMANIUM NANOSTRUCTURES WITH GERMANIUM QUANTUM DOTS FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
за авторством: A. V. Mudryi, та інші
Опубліковано: (2015-04-01)

Nanowire Optoelectronics
за авторством: Wang Zhihuan, та інші
Опубліковано: (2015-12-01)

In2S3 Quantum Dots: Preparation, Properties and Optoelectronic Application
за авторством: Rujie Li, та інші
Опубліковано: (2019-05-01)

Nanowires for 2D material-based photonic and optoelectronic devices
за авторством: Lee Ha Young, та інші
Опубліковано: (2022-02-01)

Droplet epitaxy of strain-free GaAs/AlGaAs quantum molecules for optoelectronic applications
за авторством: Lei, W, та інші
Опубліковано: (2012)

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2006)

Influence of nanowire density on the shape and optical properties of ternary InGaAs nanowires.
за авторством: Kim, Y, та інші
Опубліковано: (2006)

Smoothing silver nanowires for optoelectronic applications
за авторством: Swartwout, Richard Michael Steuben
Опубліковано: (2018)

Hot topics in surface science: Quantum dots for optoelectronic applications (HTSS-QDOA)
за авторством: Ju Young Woo, та інші
Опубліковано: (2021-09-01)

Metal Halide Perovskite Nanowires: Controllable Synthesis, Mechanism, and Application in Optoelectronic Devices
за авторством: Yangbin Lu, та інші
Опубліковано: (2023-01-01)

Engineering III-V nanowires for optoelectronics: from epitaxy to terahertz photonics
за авторством: Joyce, HJ, та інші
Опубліковано: (2018)

Rational design of colloidal core/shell quantum dots for optoelectronic applications
за авторством: Xianglong Huang, та інші
Опубліковано: (2020-06-01)