OBSERVATION OF DISSOCIATED DISLOCATIONS IN SILICON

OBSERVATION OF DISSOCIATED DISLOCATIONS IN SILICON

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Ray, I, Cockayne, D
Médium:	Journal article
Vydáno:	1970

Podobné jednotky

DISSOCIATION OF DISLOCATIONS IN SILICON
Autor: Ray, I, a další
Vydáno: (1971)

DISSOCIATION OF NEAR-SCREW DISLOCATIONS IN GERMANIUM AND SILICON
Autor: Gomez, A, a další
Vydáno: (1975)

GLIDING DISSOCIATED DISLOCATIONS IN CDS
Autor: Cockayne, D, a další
Vydáno: (1980)

DISSOCIATION OF DISLOCATIONS IN DIAMOND
Autor: Pirouz, P, a další
Vydáno: (1983)

Misfit-dislocation generation by dissociated dislocations in quantum-well heterostructures.
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (1994)

GLIDING DISSOCIATED DISLOCATIONS IN HEXAGONAL CDS
Autor: Cockayne, D, a další
Vydáno: (1980)

MISFIT DISLOCATION GENERATION FROM DISSOCIATED THREADING DISLOCATIONS IN STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (1995)

WEAK-BEAM TECHNIQUE APPLIED TO SUPERLATTICE DISLOCATIONS IN IRON-ALUMINUM ALLOYS .2. FOURFOLD DISSOCIATION IN DO3-TYPE ORDER
Autor: Crawford, R, a další
Vydáno: (1973)

THEORETICAL CONSIDERATION OF EQUILIBRIUM DISSOCIATION GEOMETRIES OF 60-DEGREES MISFIT DISLOCATIONS IN SINGLE SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (1995)

EQUILIBRIUM DISSOCIATION CONFIGURATION OF MISFIT DISLOCATIONS IN LOW STRAINED IN0.1GA0.9AS/GAAS SINGLE HETEROSTRUCTURES
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (1993)

INVESTIGATION OF DISLOCATION GEOMETRIES IN DIAMOND CUBIC STRUCTURE
Autor: Ray, I, a další
Vydáno: (1973)

Dissociation Behavior of Dislocations in Ice
Autor: Takeo Hondoh
Vydáno: (2019-07-01)

INVESTIGATIONS OF DISLOCATION STRAIN FIELDS USING WEAK BEAMS
Autor: Cockayne, D, a další
Vydáno: (1969)

Cooperative dissociations of misfit dislocations at bimetal interfaces
Autor: K. Liu, a další
Vydáno: (2016-11-01)

WEAK-BEAM TECHNIQUE APPLIED TO SUPERLATTICE DISLOCATIONS IN AN IRON-ALUMINIUM ALLOY
Autor: Ray, I, a další
Vydáno: (1970)

PARTIAL SEPARATIONS OF EXTENDED ALPHA-DISLOCATIONS AND BETA-DISLOCATIONS IN II-VI SEMICONDUCTORS
Autor: Lu, G, a další
Vydáno: (1986)

The dissociation of the [a plus c] dislocation in GaN
Autor: Hirsch, P, a další
Vydáno: (2013)

The dissociated properties of dislocation in two-dimensional triangular lattice
Autor: Xiaozhi Wu, a další
Vydáno: (2008-09-01)

THEORETICAL CONSIDERATION OF MISFIT DISLOCATION NUCLEATION BY PARTIAL DISLOCATIONS IN [001] STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (1993)

DISLOCATION-STRUCTURE AND MOTION IN CDS
Autor: Lu, G, a další
Vydáno: (1986)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2001)

DISLOCATION GEOMETRIES IN SEMICONDUCTORS AND IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
Autor: Cockayne, D, a další
Vydáno: (1991)

Dissociation of edge and screw pyramidal I and II dislocations in magnesium
Autor: Yang Yang, a další
Vydáno: (2023-12-01)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1989)

INCIPIENT DISLOCATION DIPOLES IN SILICON
Autor: Heggie, M
Vydáno: (1989)

Impurity locking of dislocations in silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2004)

ELECTRICAL-ACTIVITY ASSOCIATED WITH DISLOCATIONS IN SILICON
Autor: Castaldini, A, a další
Vydáno: (1989)

DISLOCATION-STRUCTURES AND MOTION IN II-VI SEMICONDUCTORS
Autor: Lu, G, a další
Vydáno: (1983)

GLIDE OF MISFIT DISLOCATIONS THROUGH MULTILAYER HETEROSTRUCTURES
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (1994)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (1999)

A dissociation mechanism for the [a plus c] dislocation in GaN
Autor: Nellist, P, a další
Vydáno: (2014)

TEM studies of misfit dislocations in strained-layer heterostructures
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (1994)

DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS AS STUDIED BY WEAK-BEAM ELECTRON-MICROSCOPY
Autor: Cockayne, D, a další
Vydáno: (1979)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2004)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Autor: Fell, T, a další
Vydáno: (1989)

INTERACTION OF IMPURITIES WITH DISLOCATION CORES IN SILICON
Autor: Heggie, M, a další
Vydáno: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Autor: Fell, T, a další
Vydáno: (1989)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (1999)