OBSERVATION OF DISSOCIATED DISLOCATIONS IN SILICON

OBSERVATION OF DISSOCIATED DISLOCATIONS IN SILICON

Бібліографічні деталі
Автори:	Ray, I, Cockayne, D
Формат:	Journal article
Опубліковано:	1970

Схожі ресурси

DISSOCIATION OF DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Ray, I, та інші
Опубліковано: (1971)

DISSOCIATION OF NEAR-SCREW DISLOCATIONS IN GERMANIUM AND SILICON
за авторством: Gomez, A, та інші
Опубліковано: (1975)

GLIDING DISSOCIATED DISLOCATIONS IN CDS
за авторством: Cockayne, D, та інші
Опубліковано: (1980)

DISSOCIATION OF DISLOCATIONS IN DIAMOND
за авторством: Pirouz, P, та інші
Опубліковано: (1983)

Misfit-dislocation generation by dissociated dislocations in quantum-well heterostructures.
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (1994)

GLIDING DISSOCIATED DISLOCATIONS IN HEXAGONAL CDS
за авторством: Cockayne, D, та інші
Опубліковано: (1980)

MISFIT DISLOCATION GENERATION FROM DISSOCIATED THREADING DISLOCATIONS IN STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (1995)

WEAK-BEAM TECHNIQUE APPLIED TO SUPERLATTICE DISLOCATIONS IN IRON-ALUMINUM ALLOYS .2. FOURFOLD DISSOCIATION IN DO3-TYPE ORDER
за авторством: Crawford, R, та інші
Опубліковано: (1973)

THEORETICAL CONSIDERATION OF EQUILIBRIUM DISSOCIATION GEOMETRIES OF 60-DEGREES MISFIT DISLOCATIONS IN SINGLE SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (1995)

EQUILIBRIUM DISSOCIATION CONFIGURATION OF MISFIT DISLOCATIONS IN LOW STRAINED IN0.1GA0.9AS/GAAS SINGLE HETEROSTRUCTURES
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (1993)

INVESTIGATION OF DISLOCATION GEOMETRIES IN DIAMOND CUBIC STRUCTURE
за авторством: Ray, I, та інші
Опубліковано: (1973)

Dissociation Behavior of Dislocations in Ice
за авторством: Takeo Hondoh
Опубліковано: (2019-07-01)

INVESTIGATIONS OF DISLOCATION STRAIN FIELDS USING WEAK BEAMS
за авторством: Cockayne, D, та інші
Опубліковано: (1969)

Cooperative dissociations of misfit dislocations at bimetal interfaces
за авторством: K. Liu, та інші
Опубліковано: (2016-11-01)

WEAK-BEAM TECHNIQUE APPLIED TO SUPERLATTICE DISLOCATIONS IN AN IRON-ALUMINIUM ALLOY
за авторством: Ray, I, та інші
Опубліковано: (1970)

PARTIAL SEPARATIONS OF EXTENDED ALPHA-DISLOCATIONS AND BETA-DISLOCATIONS IN II-VI SEMICONDUCTORS
за авторством: Lu, G, та інші
Опубліковано: (1986)

The dissociation of the [a plus c] dislocation in GaN
за авторством: Hirsch, P, та інші
Опубліковано: (2013)

The dissociated properties of dislocation in two-dimensional triangular lattice
за авторством: Xiaozhi Wu, та інші
Опубліковано: (2008-09-01)

THEORETICAL CONSIDERATION OF MISFIT DISLOCATION NUCLEATION BY PARTIAL DISLOCATIONS IN [001] STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (1993)

DISLOCATION-STRUCTURE AND MOTION IN CDS
за авторством: Lu, G, та інші
Опубліковано: (1986)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
за авторством: Senkader, S, та інші
Опубліковано: (2001)

DISLOCATION GEOMETRIES IN SEMICONDUCTORS AND IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
за авторством: Cockayne, D, та інші
Опубліковано: (1991)

Dissociation of edge and screw pyramidal I and II dislocations in magnesium
за авторством: Yang Yang, та інші
Опубліковано: (2023-12-01)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)

INCIPIENT DISLOCATION DIPOLES IN SILICON
за авторством: Heggie, M
Опубліковано: (1989)

Impurity locking of dislocations in silicon
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2004)

ELECTRICAL-ACTIVITY ASSOCIATED WITH DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Castaldini, A, та інші
Опубліковано: (1989)

DISLOCATION-STRUCTURES AND MOTION IN II-VI SEMICONDUCTORS
за авторством: Lu, G, та інші
Опубліковано: (1983)

GLIDE OF MISFIT DISLOCATIONS THROUGH MULTILAYER HETEROSTRUCTURES
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (1994)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
за авторством: Senkader, S, та інші
Опубліковано: (1999)

A dissociation mechanism for the [a plus c] dislocation in GaN
за авторством: Nellist, P, та інші
Опубліковано: (2014)

TEM studies of misfit dislocations in strained-layer heterostructures
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (1994)

DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS AS STUDIED BY WEAK-BEAM ELECTRON-MICROSCOPY
за авторством: Cockayne, D, та інші
Опубліковано: (1979)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2004)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1989)

INTERACTION OF IMPURITIES WITH DISLOCATION CORES IN SILICON
за авторством: Heggie, M, та інші
Опубліковано: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1989)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
за авторством: Senkader, S, та інші
Опубліковано: (1999)