Polarization and temperature dependence of photoluminescence from zincblende and wurtzite InP nanowires

Polarization and temperature dependence of photoluminescence from zincblende and wurtzite InP nanowires

We use polarization-resolved and temperature-dependent photoluminescence of single zincblende (ZB) (cubic) and wurtzite (WZ) (hexagonal) InP nanowires to probe differences in selection rules and bandgaps between these two semiconductor nanostructures. The WZ nanowires exhibit a bandgap 80 meV higher...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Mishra, A, Titova, L, Hoang, T, Jackson, H, Smith, L, Yarrison-Rice, J, Kim, Y, Joyce, H, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2007

Những quyển sách tương tự

Carrier thermalization dynamics in single zincblende and wurtzite InP nanowires
Bằng: Wang, Yuda, et al.
Được phát hành: (2014)

A comparative study of transistors based on wurtzite and zincblende InAs nanowires
Bằng: Williams, M, et al.
Được phát hành: (2010)

Electronic comparison of InAs wurtzite and zincblende phases using nanowire transistors
Bằng: Ullah, A, et al.
Được phát hành: (2013)

Electronic comparison of InAs wurtzite and zincblende phases using nanowire transistors
Bằng: Ullah, A, et al.
Được phát hành: (2013)

Quantum confinement of excitons in wurtzite InP nanowires
Bằng: Pemasiri, K, et al.
Được phát hành: (2015)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
Bằng: Titova, L, et al.
Được phát hành: (2006)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
Bằng: Smith, L, et al.
Được phát hành: (2007)

Dynamics of strongly degenerate electron-hole plasmas and excitons in single InP nanowires.
Bằng: Titova, L, et al.
Được phát hành: (2007)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
Bằng: Jackson, H, et al.
Được phát hành: (2008)

Evolution of wurtzite structured GaAs shells around InAs nanowire cores
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2009)

Resonant excitation and imaging of nonequilibrium exciton spins in single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires.
Bằng: Hoang, T, et al.
Được phát hành: (2007)

Phase perfection in zinc Blende and Wurtzite III-V nanowires using basic growth parameters.
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2010)

Band Alignments of Ternary Wurtzite and Zincblende III-Nitrides Investigated by Hybrid Density Functional Theory
Bằng: Yi-Chia Tsai, et al.
Được phát hành: (2020-01-01)

Evolution of Wurtzite Structured GaAs Shells Around InAs Nanowire Cores
Bằng: Kim Y, et al.
Được phát hành: (2009-01-01)

Compound semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
Bằng: Gao, Q, et al.
Được phát hành: (2011)

InP nanowires grown by SA-MOVPE
Bằng: Gao, Q, et al.
Được phát hành: (2012)

III-V compound semiconductor nanowires
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2009)

Nanowires for optoelectronic device applications
Bằng: Gao, Q, et al.
Được phát hành: (2009)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2013)

Unexpected benefits of rapid growth rate for III-V nanowires.
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2009)

Rocksalt-Zincblende–Wurtzite Mixed-Phase ZnO Crystals With High Activity as Photocatalysts for Visible-Light-Driven Water Splitting
Bằng: Titao Li, et al.
Được phát hành: (2020-04-01)

III-V compound semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
Bằng: Gao, Q, et al.
Được phát hành: (2011)

Epitaxy of III-V semiconductor nanowires towards optoelectronic devices
Bằng: Gao, Q, et al.
Được phát hành: (2009)

High Purity GaAs Nanowires Free of Planar Defects: Growth and Characterization
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2008)

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2011)

Au-catalyzed InP nanowires: The influence of growth temperature and V/III ratio
Bằng: Paiman, S, et al.
Được phát hành: (2010)

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2011)

Direct observation of charge-carrier heating at WZ-ZB InP nanowire heterojunctions.
Bằng: Yong, C, et al.
Được phát hành: (2013)

Ultralow surface recombination velocity in InP nanowires probed by terahertz spectroscopy.
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2012)

Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
Bằng: Perera, S, et al.
Được phát hành: (2008)

Growth of InP nanowires on silicon using a thin buffer layer
Bằng: Fonseka, H, et al.
Được phát hành: (2012)

Growth temperature and V/III ratio effects on the morphology and crystal structure of InP nanowires
Bằng: Paiman, S, et al.
Được phát hành: (2010)

Growth temperature and V/III ratio effects on the morphology and crystal structure of InP nanowires.
Bằng: Paiman, Suriati, et al.
Được phát hành: (2010)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
Bằng: Kang, J, et al.
Được phát hành: (2010)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
Bằng: Kang, J, et al.
Được phát hành: (2011)

Improvement of morphology, structure, and optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates
Bằng: Kang, J, et al.
Được phát hành: (2010)

Effects of growth rate on InP nanowires morphology and crystal structure
Bằng: Paiman, Suriati, et al.
Được phát hành: (2013)

Wurtzite nanowires strain control by DC electrical stimulation
Bằng: Giuseppe Prestopino, et al.
Được phát hành: (2023-05-01)

Theoretical and Computational Analysis of a Wurtzite-AlGaN DUV-LED to Mitigate Quantum-Confined Stark Effect with a Zincblende Comparison Considering Mg- and Be-Doping
Bằng: Horacio I. Solís-Cisneros, et al.
Được phát hành: (2022-12-01)

Structural and optical characterization of vertical GaAs/GaP core-shell nanowires grown on Si substrates
Bằng: Kang, J, et al.
Được phát hành: (2010)