DEVICES AND DESIRES IN THE 2-4 MU-M REGION BASED ON ANTIMONY-CONTAINING III-V HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
Үндсэн зохиолчид: | Aardvark, A, Allogho, G, Bougnot, G, David, J, Giani, A, Haywood, S, Hill, G, Klipstein, P, Mansoor, F, Mason, N, Nicholas, R, Pascaldelannoy, F, Pate, M, Ponnampalam, L, Walker, P |
---|---|
Формат: | Conference item |
Хэвлэсэн: |
1993
|
Ижил төстэй зүйлс
Ижил төстэй зүйлс
-
GASB HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
-н: Chidley, E, зэрэг
Хэвлэсэн: (1988) -
GASB/INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE
-н: Haywood, S, зэрэг
Хэвлэсэн: (1991) -
GROWTH OF GASB BY MOVPE
-н: Haywood, S, зэрэг
Хэвлэсэн: (1988) -
Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
-н: Maxim A. Ladugin, зэрэг
Хэвлэсэн: (2019-06-01) -
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
-н: Warburton, R, зэрэг
Хэвлэсэн: (1991)