Photoconductivity studies of InAsP/InP heterostructures in applied magnetic and electric fields

Photoconductivity studies of InAsP/InP heterostructures in applied magnetic and electric fields

Бібліографічні деталі
Автори:	Kinder, D, Nicholas, R, Stavrinou, P, Haywood, S, Hart, L, Hopkinson, M, David, J, Hill, G
Формат:	Journal article
Опубліковано:	1996

Схожі ресурси

Nanowire Triple-Junction GaInP/InP/InAsP Solar Cells Realized
за авторством: Wallenberg Reine, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

Materials properties and dislocation dynamics in InAsP compositionally graded buffers on InP substrates
за авторством: Jandl, Adam Christopher, та інші
Опубліковано: (2014)

Submicron-Size Emitters of the 1.2–1.55 μm Spectral Range Based on InP/InAsP/InP Nanostructures Integrated into Si Substrate
за авторством: Ivan Melnichenko, та інші
Опубліковано: (2022-11-01)

Influence of TOPO and TOPO-CdSe/ZnS Quantum Dots on Luminescence Photodynamics of InP/InAsP/InPHeterostructure Nanowires
за авторством: Artem I. Khrebtov, та інші
Опубліковано: (2021-03-01)

Terahertz photoconductivity of mobile electrons in nanoporous InP honeycombs
за авторством: Lloyd-Hughes, J, та інші
Опубліковано: (2008)

DOUBLE SOURCE PHOTOCONDUCTIVITY OF INP-FE
за авторством: Fung, S, та інші
Опубліковано: (1985)

Continuous-wave operation and 10-Gb/s direct modulation of InAsP/InP sub-wavelength nanowire laser on silicon photonic crystal
за авторством: Masato Takiguchi, та інші
Опубліковано: (2017-04-01)

Broadband Phase-Sensitive Single InP Nanowire Photoconductive Terahertz Detectors
за авторством: Peng, K, та інші
Опубліковано: (2016)

CHROMIUM CONTAMINATION IN VPE INP FROM PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA
за авторством: Fung, S, та інші
Опубліковано: (1981)

Simulation and optimisation of terahertz emission from InGaAs and InP photoconductive switches
за авторством: Lloyd-Hughes, J, та інші
Опубліковано: (2005)

Growing epitaxial layers of InP/InGaAsP heterostructures on the profiled InP surfaces by liquid-phase epitaxy
за авторством: Mikhail G. Vasil’ev, та інші
Опубліковано: (2021-06-01)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
за авторством: Jackson, H, та інші
Опубліковано: (2008)

Characteristics of Bow-Tie Antenna Structures for Semi-Insulating GaAs and InP Photoconductive Terahertz Emitters
за авторством: Salman Alfihed, та інші
Опубліковано: (2021-04-01)

The physics and technology of the InAlAs/n⁺-InP heterostructure field-effect transistor
за авторством: Greenberg, David Ross
Опубліковано: (2007)

Technological features of the method of liquid-phase epitaxy when growing InP/GaInAsP heterostructures
за авторством: Mikhail G. Vasil’ev, та інші
Опубліковано: (2021-09-01)

Surface roughness anisotopy on mismatched InAlAs/InGaAs/InP heterostructures
за авторством: Sinn, Matthew T. (Matthew Thomas)
Опубліковано: (2005)

Effects of In0.82Ga0.18As/InP Double Buffers Design on the Microstructure of the In0.82G0.18As/InP Heterostructure
за авторством: Liang Zhao, та інші
Опубліковано: (2017-05-01)

Improvement the Efficiency of CIGS Thin Film Solar Cells by Changing the Doping of the Absorbent Layer and Adding the InAsP Layer
за авторством: H. Firoozi, та інші
Опубліковано: (2017-12-01)

Engineering the Side Facets of Vertical [100] Oriented InP Nanowires for Novel Radial Heterostructures
за авторством: H. Aruni Fonseka, та інші
Опубліковано: (2019-12-01)

The Study of Deep Level Traps and Their Influence on Current Characteristics of InP/InGaAs Heterostructures
за авторством: Xiaohong Zhao, та інші
Опубліковано: (2019-08-01)

Ultraviolet photoconduction in tungsten disulphide based Schottky heterostructure photodetector
за авторством: Ahmad, Harith, та інші
Опубліковано: (2019)

Tunable photoconductive devices based on graphene/WSe2 heterostructures
за авторством: Tang Hongyu, та інші
Опубліковано: (2022-01-01)

Optical fibre-based single photon source using InAsP quantum dot nanowires and gradient-index lens collection
за авторством: David B. Northeast, та інші
Опубліковано: (2021-11-01)

The influence of the physicochemical nature of the components of the V2O5/GaAs, MnO2/GaAs, V2O5/InP, MnO2/InP, TiO2/InP, and SnO2/InP heterostructures and the oxidation conditions on the surface morphology of the synthesised films
за авторством: Anastasia S. Kovaleva, та інші
Опубліковано: (2022-03-01)

Characterization of InGaAlAs/InAlAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Zhang, Weimin
Опубліковано: (2008)

Characteristics of InAlAs/InGaAs heterostructures grown on InP substrates by molecular beam epitaxy
за авторством: Miao, Yubo.
Опубліковано: (2009)

InP and InGaAs grown on InP substrate by molecular beam epitaxy
за авторством: Yu Hailong, та інші
Опубліковано: (2022-01-01)

Enhanced Properties of Extended Wavelength InGaAs on Compositionally Undulating Step-Graded InAsP Buffers Grown by Molecular Beam Epitaxy
за авторством: Xuefei Li, та інші
Опубліковано: (2021-12-01)

CYCLOTRON-RESONANCE MEASUREMENTS ON P-TYPE STRAINED-LAYER SI1-XGEX/SI HETEROSTRUCTURES
за авторством: Wong, S, та інші
Опубліковано: (1995)

Properties of double p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterojunctions obtained by LPE method
за авторством: Vakiv N. M., та інші
Опубліковано: (2012-04-01)

Electronic transport mechanism and defect states for p-InP/i-InGaAs/n-InP photodiodes
за авторством: Thi Kim Oanh Vu, та інші
Опубліковано: (2022-07-01)

Optimization of InGaAs(P) photovoltaic cells lattice matched to InP
за авторством: Emziane, M, та інші
Опубліковано: (2007)

The electrical and optical characterization of the InGaAs/InP alloy system
за авторством: Towe, Elias D
Опубліковано: (2005)

Effect of Thickness of InP Nucleation Layer on the Two-Step Growth of InP on Si(001)
за авторством: Silu Yan, та інші
Опубліковано: (2022-03-01)

Hydrogen degradation on InP HEMTs
за авторством: Blanchard, Roxann Russell
Опубліковано: (2013)

High-quality InP on GaAs
за авторством: Quitoriano, Nathaniel Joseph
Опубліковано: (2007)

Electrically induced Bragg Reflectors in InP/InGaAsP waveguides as ultrafast optoelectronic modulators
за авторством: De Laurentis Martina, та інші
Опубліковано: (2008-01-01)

Fabrication and magnetic properties of granular Co/porous InP nanocomposite materials
за авторством: Ma Li, та інші
Опубліковано: (2011-01-01)

PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY IN GA0.49IN0.51P/GAAS HETEROJUNCTIONS
за авторством: Benamor, S, та інші
Опубліковано: (1989)

Improvement of Power and Efficiency of High-Mesa Semi-Insulating InP: Fe Buried Heterostructure Lasers with Wide Bandgap Layers
за авторством: Chen Lyu, та інші
Опубліковано: (2023-09-01)