DIFFUSION OF DOPANT IN CRYSTALLINE SILICON - AN ASYMPTOTIC ANALYSIS

DIFFUSION OF DOPANT IN CRYSTALLINE SILICON - AN ASYMPTOTIC ANALYSIS

Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:	King, J, Please, C
Materyal Türü:	Journal article
Baskı/Yayın Bilgisi:	1986

Benzer Materyaller

ONE-DIMENSIONAL AND TWO-DIMENSIONAL NONLINEAR DOPANT DIFFUSION IN CRYSTALLINE SILICON - SOME ANALYTICAL RESULTS
Yazar:: Please, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1988)

Data for 'Asymptotic Analysis of a Silicon Furnace Model'
Yazar:: Sloman, B, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018)

Asymptotic analysis of a silicon furnace model
Yazar:: Sloman, B, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018)

Dopant‐free passivating contacts for crystalline silicon solar cells: Progress and prospects
Yazar:: Yanhao Wang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-02-01)

Double heterojunction crystalline silicon solar cells: from doped silicon to dopant-free passivating contacts
Yazar:: Wong, Terence Kin Shun, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023)

Double Heterojunction Crystalline Silicon Solar Cells: From Doped Silicon to Dopant-Free Passivating Contacts
Yazar:: Terence K.S. Wong, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022-07-01)

Normalized Characteristics of Laser-Induced Diffusion of Arsenic Dopants in Silicon
Yazar:: Oday Hamadi, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007-04-01)

Asymptotic analysis of the growth of cake layers in filters
Yazar:: King, JR, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)

A NEW MODEL FOR THE DIFFUSION OF ARSENIC IN POLYCRYSTALLINE SILICON
Yazar:: Oneill, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1988)

Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs
Yazar:: Chin, Yoke King
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Simulation of dopant diffusion in silicon using the finite element method : an adaptive meshing approach /
Yazar:: 225727 Razali Ismail
Baskı/Yayın Bilgisi: (1988)

Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon: dopant mapping through secondary electron imaging
Yazar:: Castell, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

Solvothermal synthesis of crystalline 2D bismuth telluride with an isoelectronic dopant
Yazar:: Lindsey J. Gray, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-07-01)

Effect of Dopants on Epitaxial Growth of Silicon Nanowires
Yazar:: Sung Hwan Chung, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014-02-01)

Individuality of Dopants in Silicon Nano-pn Junctions
Yazar:: Daniel MORARU, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014-06-01)

Dopant-specific unzipping of carbon nanotubes for intact crystalline graphene nanostructures
Yazar:: Joonwon Lim, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016-01-01)

Controlling dopant profiles in hyperdoped silicon by modifying dopant evaporation rates during pulsed laser melting
Yazar:: Recht, Daniel, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Quantum simulation of the Hubbard model with dopant atoms in silicon
Yazar:: Salfi, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016)

ANALYTICAL MODELING OF NONLINEAR DIFFUSION OF ARSENIC IN SILICON
Yazar:: Jeppson, K, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1987)

STRUCTURAL AND ELECTRICAL EFFECTS OF DOPANT SEGREGATION TO SILICON GRAIN-BOUNDARIES
Yazar:: Grovenor, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1985)

Development Of N-Type Spin-On Dopant For Silicon Devices
Yazar:: Ahmad Kamil, Suraya
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Segregation mechanism of arsenic dopants at grain boundaries in silicon
Yazar:: Yutaka Ohno, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2021-01-01)

Atom devices based on single dopants in silicon nanostructures
Yazar:: Jablonski Ryszard, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011-01-01)

Modelling of dopant diffusion in MOS fabrication process /
Yazar:: 225173 Oommen P. A. Kunjappy

Crystalline Silicon Solar Cells with Thin Silicon Passivation Film Deposited prior to Phosphorous Diffusion
Yazar:: Ching-Tao Li, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014-01-01)

High phosphorous doped germanium: Dopant diffusion and modeling
Yazar:: Cai, Yan, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

ASYMPTOTIC ANALYSIS OF A STAR CRACK WITH A CENTRAL HOLE
Yazar:: Paine, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1993)

Scanning tunneling microscopy of buried dopants in silicon: images and their uncertainties
Yazar:: Piotr T. Różański, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022-08-01)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
Yazar:: P.I. Baranskii
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015-04-01)

Modelling of dopant diffusion in MOS fabrication process [mikrofilem]/
Yazar:: 225173 Oommen P. A. Kunjappy
Baskı/Yayın Bilgisi: (1990)

Asymptotic dissipativity of the diffusion process in the asymptotic small diffusion scheme
Yazar:: Anastasiia Kinash, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015-12-01)

Asymptotic analysis of the flow of shear-thinning foodstuffs in annular scraped heat exchangers
Yazar:: Fitt, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2001)

Vertical silicon nanowire diode with nickel silicide induced dopant segregation
Yazar:: Li, Xiang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Effect of annealing conditions on dopants activation and stress conservation in silicon-germanium
Yazar:: Tai-Chen Kuo, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2019-01-01)

Fe dopants and surface adatoms versus nontrivial topology of single-crystalline Bi2Se3
Yazar:: M Chrobak, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2020-01-01)

Defect characterisation in multi-crystalline silicon
Yazar:: Lotharukpong, C
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015)

Femtosecond laser processing of crystalline silicon
Yazar:: Tran, D. V., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Crystalline silicon solar cells
Yazar:: Liew, Yee Chok.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2010)

Nitrogen-Related Defects in Crystalline Silicon
Yazar:: E. N. Sgourou, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-02-01)

Diffusion in crystalline solid/
Yazar:: Murch, Graeme E.
Baskı/Yayın Bilgisi: (1984)