Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
প্রধান লেখক: | Tan, H, Jagadish, C, Williams, J, Zou, J, Cockayne, D |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
প্রকাশিত: |
1996
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS
অনুযায়ী: Tan, H, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1995) -
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
অনুযায়ী: Ahmed Z. Obaid, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-09-01) -
Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
অনুযায়ী: Y. C. Chang, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2015-06-01) -
Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
অনুযায়ী: Jiang, N, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2012) -
SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
অনুযায়ী: Oleg V. Devitsky, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022-05-01)