Preskoči na sadržaj
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Sva polja
Naslov
Autor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Pronađi
Napredno
Ion damage buildup and amorphi...
Citiraj ovo
Pošalji tekstualnu poruku
Pošalji ovo e-mailom
Ispiši
Izvezi zapis
Izvezi u RefWorks
Izvezi u EndNoteWeb
Izvezi u EndNote
Stalna poveznica
Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
Bibliografski detalji
Glavni autori:
Tan, H
,
Jagadish, C
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
Format:
Journal article
Izdano:
1996
Primjerci
Opis
Slični predmeti
Prikaz za djelatnike knjižnice
Slični predmeti
ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS
od: Tan, H, i dr.
Izdano: (1995)
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
od: Ahmed Z. Obaid, i dr.
Izdano: (2024-09-01)
Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
od: Y. C. Chang, i dr.
Izdano: (2015-06-01)
Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
od: Jiang, N, i dr.
Izdano: (2012)
SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
od: Oleg V. Devitsky, i dr.
Izdano: (2022-05-01)