Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers

Схожі ресурси

• ION DAMAGE BUILDUP AND AMORPHIZATION PROCESSES IN ALXGA1-XAS
  за авторством: Tan, H, та інші
  Опубліковано: (1995)
• Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
  за авторством: Ahmed Z. Obaid, та інші
  Опубліковано: (2024-09-01)
• Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
  за авторством: Y. C. Chang, та інші
  Опубліковано: (2015-06-01)
• Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
  за авторством: Jiang, N, та інші
  Опубліковано: (2012)
• SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
  за авторством: Oleg V. Devitsky, та інші
  Опубліковано: (2022-05-01)