Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN

Show other versions (2)

The effects of oxygen plasma treatment prior to metal contact deposition have been studied for both n-and p-GaN, as well as n-AlGaN. In n-GaN, the as-deposited Ti/Al contacts change from rectifying to ohmic, and further improvements are observed after rapid thermal annealing (RTA). A specific contac...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Yan, J, Kappers, M, Crossley, A, McAleese, C, Phillips, W, Humphreys, C
פורמט:	Journal article
שפה:	English
יצא לאור:	2004

פריטים דומים

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN
מאת: Yan, J, et al.
יצא לאור: (2004)

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN
מאת: Yan, J, et al.
יצא לאור: (2004)

Study of Interface of Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructure
מאת: Joanna Prazmowska, et al.
יצא לאור: (2016-01-01)

Study of Scandium Based Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructures
מאת: Grzegorz Ilgiewicz, et al.
יצא לאור: (2021-01-01)

Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs
מאת: Liang Song, et al.
יצא לאור: (2018-03-01)

Formation Process and Properties of Ohmic Contacts Containing Molybdenum to AlGaN/GaN Heterostructures
מאת: Wojciech Macherzynski, et al.
יצא לאור: (2016-01-01)

Process of Au-Free Source/Drain Ohmic Contact to AlGaN/GaN HEMT
מאת: Lin-Qing Zhang, et al.
יצא לאור: (2022-06-01)

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Semi-Insulating Ammono-GaN Substrates with Regrown Ohmic Contacts
מאת: Wojciech Wojtasiak, et al.
יצא לאור: (2018-10-01)

A Study on the Optimized Ohmic Contact Process of AlGaN/GaN-Si MIS-HEMTs
מאת: He Guan, et al.
יצא לאור: (2021-01-01)

Al‐Rich AlGaN Transistors with Regrown p‐AlGaN Gate Layers and Ohmic Contacts
מאת: Brianna Klein, et al.
יצא לאור: (2025-01-01)

Investigation on the Effect of Annealing Temperature on the Side Ohmic Contact Characteristics for Double Channel GaN/AlGaN Epitaxial Layer
מאת: Qingzhi Meng, et al.
יצא לאור: (2022-05-01)

Effects of multi-layer Ti/Al electrode and ohmic groove etching on ohmic characteristics of AlGaN/GaN HEMT devices
מאת: Yanxu Zhu, et al.
יצא לאור: (2021-11-01)

Strain Balanced AlGaN/GaN/AlGaN nanomembrane HEMTs
מאת: Tzu-Hsuan Chang, et al.
יצא לאור: (2017-07-01)

The consequences of high injected carrier densities on carrier localization and efficiency droop in InGaN/GaN quantum well structures
מאת: Hammersley, S, et al.
יצא לאור: (2012)

Polariton lasing in AlGaN microring with GaN/AlGaN quantum wells
מאת: Anthonin Delphan, et al.
יצא לאור: (2023-02-01)

Effect of Rapid Thermal Annealing Temperature on the Electrophysical Properties of the Ohmic Contact of Ti/Al/Ni Metallization to the GaN/AlGaN Heterostructure
מאת: A. D. Yunik, et al.
יצא לאור: (2022-06-01)

High linearity AlGaN/GaN HEMTs with Au-free Ti/Al/Ni/Ti ohmic contacts for Ka-band applications
מאת: Che-Wei Hsu, et al.
יצא לאור: (2024-01-01)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
מאת: Oliver, R, et al.
יצא לאור: (2005)

Non-gold ohmic contact for GaN-on-Si HEMT
מאת: Zhuang, Yihao
יצא לאור: (2023)

An AlGaN/GaN Lateral Bidirectional Current-Regulating Diode with Two Symmetrical Hybrid Ohmic-Schottky Structures
מאת: Yijun Shi, et al.
יצא לאור: (2022-07-01)

Effect of InGaN/GaN superlattice as underlayer on characteristics of AlGaN/GaN HEMT
מאת: Hideyuki Itakura, et al.
יצא לאור: (2020-02-01)

Graphene/AlGaN/GaN RF Switch
מאת: Yevhen Yashchyshyn, et al.
יצא לאור: (2021-10-01)

Use of Laser Interferometry to Determine the End Time of the Plasma-Chemical Etching of p-GaN and AlGaN Layers of the p-GaN/AlGaN/GaN Heterostructure with Two-Dimensional Electron Gas
מאת: A. D. Yunik, et al.
יצא לאור: (2022-12-01)

AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Corona-Discharge Plasma Treatment
מאת: Shuo-Huang Yuan, et al.
יצא לאור: (2017-05-01)

Effects of GaN Buffer Resistance on the Device Performances of AlGaN/GaN HEMTs
מאת: Ki-Sik Im, et al.
יצא לאור: (2020-09-01)

Effect of GaN Cap Thickness on the DC Performance of AlGaN/GaN HEMTs
מאת: Zuorong Nie, et al.
יצא לאור: (2024-04-01)

Effect of Rapid Thermal Annealing Conditions on the Specific Resistance of the Ohmic Contacts of Ti/Al/Ni/Au Metallization to the GaN/AlGaN Heterostructure
מאת: A. D. Yunik, et al.
יצא לאור: (2023-01-01)

Metal/Semiconductor Barrier Properties of Non-Recessed Ti/Al/Ti and Ta/Al/Ta Ohmic Contacts on AlGaN/GaN Heterostructures
מאת: Monia Spera, et al.
יצא לאור: (2019-07-01)

Pulsed sputtering selective epitaxial formation of highly degenerate n-type GaN ohmic contacts for GaN HEMT applications
מאת: Ryota Maeda, et al.
יצא לאור: (2024-01-01)

Investigation of MBE grown high Al concentration AlGaN ohmic contact
מאת: Yaqin Wang, et al.
יצא לאור: (2024-05-01)

The influence of ammonia on the growth mode in InGaN/GaN heteroepitaxy
מאת: Oliver, R, et al.
יצא לאור: (2004)

Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
מאת: Ju, Zhen Gang, et al.
יצא לאור: (2016)

Effect of P-Type GaN Buried Layer on the Temperature of AlGaN/GaN HEMTs
מאת: Hanghang Lv, et al.
יצא לאור: (2023-07-01)

Conduction mechanism of non-gold Ta/Si/Ti/Al/Ni/Ta ohmic contacts in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
מאת: Li, Yang, et al.
יצא לאור: (2015)

Wet-based digital etching on GaN and AlGaN
מאת: Shih, Pao-Chuan, et al.
יצא לאור: (2022)

Magneto-photoluminescence of AlGaN/GaN quantum wells
מאת: Shields, P, et al.
יצא לאור: (2001)

AlGaN/GaN-based power semiconductor switches
מאת: Lu, Bin, Ph. D. Massachusetts Institute of Technology
יצא לאור: (2013)

AlGaN/GaN HEMT With 300-GHz fmax
מאת: Chung, Jinwook, et al.
יצא לאור: (2013)

Control of yellow photoluminescence in AlGaN/GaN heterostructures
מאת: Nadezhda B. Gladysheva, et al.
יצא לאור: (2019-06-01)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
מאת: Haruka Matsuura, et al.
יצא לאור: (2019-04-01)