Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN

Hiển thị phiên bản (2) khác

The effects of oxygen plasma treatment prior to metal contact deposition have been studied for both n-and p-GaN, as well as n-AlGaN. In n-GaN, the as-deposited Ti/Al contacts change from rectifying to ohmic, and further improvements are observed after rapid thermal annealing (RTA). A specific contac...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Yan, J, Kappers, M, Crossley, A, McAleese, C, Phillips, W, Humphreys, C
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2004

Những quyển sách tương tự

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN
Bằng: Yan, J, et al.
Được phát hành: (2004)

Effects of oxygen plasma treatment on the formation of ohmic contacts to GaN and AlGaN
Bằng: Yan, J, et al.
Được phát hành: (2004)

Study of Interface of Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructure
Bằng: Joanna Prazmowska, et al.
Được phát hành: (2016-01-01)

Study of Scandium Based Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructures
Bằng: Grzegorz Ilgiewicz, et al.
Được phát hành: (2021-01-01)

Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs
Bằng: Liang Song, et al.
Được phát hành: (2018-03-01)

Formation Process and Properties of Ohmic Contacts Containing Molybdenum to AlGaN/GaN Heterostructures
Bằng: Wojciech Macherzynski, et al.
Được phát hành: (2016-01-01)

Process of Au-Free Source/Drain Ohmic Contact to AlGaN/GaN HEMT
Bằng: Lin-Qing Zhang, et al.
Được phát hành: (2022-06-01)

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Semi-Insulating Ammono-GaN Substrates with Regrown Ohmic Contacts
Bằng: Wojciech Wojtasiak, et al.
Được phát hành: (2018-10-01)

Al‐Rich AlGaN Transistors with Regrown p‐AlGaN Gate Layers and Ohmic Contacts
Bằng: Brianna Klein, et al.
Được phát hành: (2025-01-01)

Investigation on the Effect of Annealing Temperature on the Side Ohmic Contact Characteristics for Double Channel GaN/AlGaN Epitaxial Layer
Bằng: Qingzhi Meng, et al.
Được phát hành: (2022-05-01)

Effects of multi-layer Ti/Al electrode and ohmic groove etching on ohmic characteristics of AlGaN/GaN HEMT devices
Bằng: Yanxu Zhu, et al.
Được phát hành: (2021-11-01)

Strain Balanced AlGaN/GaN/AlGaN nanomembrane HEMTs
Bằng: Tzu-Hsuan Chang, et al.
Được phát hành: (2017-07-01)

The consequences of high injected carrier densities on carrier localization and efficiency droop in InGaN/GaN quantum well structures
Bằng: Hammersley, S, et al.
Được phát hành: (2012)

Polariton lasing in AlGaN microring with GaN/AlGaN quantum wells
Bằng: Anthonin Delphan, et al.
Được phát hành: (2023-02-01)

Effect of Rapid Thermal Annealing Temperature on the Electrophysical Properties of the Ohmic Contact of Ti/Al/Ni Metallization to the GaN/AlGaN Heterostructure
Bằng: A. D. Yunik, et al.
Được phát hành: (2022-06-01)

High linearity AlGaN/GaN HEMTs with Au-free Ti/Al/Ni/Ti ohmic contacts for Ka-band applications
Bằng: Che-Wei Hsu, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
Bằng: Oliver, R, et al.
Được phát hành: (2005)

Non-gold ohmic contact for GaN-on-Si HEMT
Bằng: Zhuang, Yihao
Được phát hành: (2023)

An AlGaN/GaN Lateral Bidirectional Current-Regulating Diode with Two Symmetrical Hybrid Ohmic-Schottky Structures
Bằng: Yijun Shi, et al.
Được phát hành: (2022-07-01)

Effect of InGaN/GaN superlattice as underlayer on characteristics of AlGaN/GaN HEMT
Bằng: Hideyuki Itakura, et al.
Được phát hành: (2020-02-01)

Graphene/AlGaN/GaN RF Switch
Bằng: Yevhen Yashchyshyn, et al.
Được phát hành: (2021-10-01)

Use of Laser Interferometry to Determine the End Time of the Plasma-Chemical Etching of p-GaN and AlGaN Layers of the p-GaN/AlGaN/GaN Heterostructure with Two-Dimensional Electron Gas
Bằng: A. D. Yunik, et al.
Được phát hành: (2022-12-01)

AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Corona-Discharge Plasma Treatment
Bằng: Shuo-Huang Yuan, et al.
Được phát hành: (2017-05-01)

Effect of GaN Cap Thickness on the DC Performance of AlGaN/GaN HEMTs
Bằng: Zuorong Nie, et al.
Được phát hành: (2024-04-01)

Effects of GaN Buffer Resistance on the Device Performances of AlGaN/GaN HEMTs
Bằng: Ki-Sik Im, et al.
Được phát hành: (2020-09-01)

Pulsed sputtering selective epitaxial formation of highly degenerate n-type GaN ohmic contacts for GaN HEMT applications
Bằng: Ryota Maeda, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

Effect of Rapid Thermal Annealing Conditions on the Specific Resistance of the Ohmic Contacts of Ti/Al/Ni/Au Metallization to the GaN/AlGaN Heterostructure
Bằng: A. D. Yunik, et al.
Được phát hành: (2023-01-01)

Metal/Semiconductor Barrier Properties of Non-Recessed Ti/Al/Ti and Ta/Al/Ta Ohmic Contacts on AlGaN/GaN Heterostructures
Bằng: Monia Spera, et al.
Được phát hành: (2019-07-01)

Investigation of MBE grown high Al concentration AlGaN ohmic contact
Bằng: Yaqin Wang, et al.
Được phát hành: (2024-05-01)

Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
Bằng: Ju, Zhen Gang, et al.
Được phát hành: (2016)

The influence of ammonia on the growth mode in InGaN/GaN heteroepitaxy
Bằng: Oliver, R, et al.
Được phát hành: (2004)

Effect of P-Type GaN Buried Layer on the Temperature of AlGaN/GaN HEMTs
Bằng: Hanghang Lv, et al.
Được phát hành: (2023-07-01)

Conduction mechanism of non-gold Ta/Si/Ti/Al/Ni/Ta ohmic contacts in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
Bằng: Li, Yang, et al.
Được phát hành: (2015)

Wet-based digital etching on GaN and AlGaN
Bằng: Shih, Pao-Chuan, et al.
Được phát hành: (2022)

Magneto-photoluminescence of AlGaN/GaN quantum wells
Bằng: Shields, P, et al.
Được phát hành: (2001)

AlGaN/GaN-based power semiconductor switches
Bằng: Lu, Bin, Ph. D. Massachusetts Institute of Technology
Được phát hành: (2013)

AlGaN/GaN HEMT With 300-GHz fmax
Bằng: Chung, Jinwook, et al.
Được phát hành: (2013)

Control of yellow photoluminescence in AlGaN/GaN heterostructures
Bằng: Nadezhda B. Gladysheva, et al.
Được phát hành: (2019-06-01)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
Bằng: Haruka Matsuura, et al.
Được phát hành: (2019-04-01)

Thermal Field Analysis for New AlGaN/GaN HEMT With Partial Etched AlGaN Layer
Bằng: Baoxing Duan, et al.
Được phát hành: (2020-01-01)