Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRES...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Warburton, R
,
Beales, T
,
Mason, N
,
Nicholas, R
,
Walker, P
Aineistotyyppi:
Journal article
Julkaistu:
1991
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Kuvaus
Yhteenveto:
Samankaltaisia teoksia
GASB HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
Tekijä: Chidley, E, et al.
Julkaistu: (1988)
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
Tekijä: Lakrimi, M, et al.
Julkaistu: (1991)
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
Tekijä: Lakrimi, M, et al.
Julkaistu: (1992)
Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
Tekijä: Maxim A. Ladugin, et al.
Julkaistu: (2019-06-01)
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
Tekijä: Chidley, E, et al.
Julkaistu: (1989)