PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
Үндсэн зохиолчид: | Warburton, R, Beales, T, Mason, N, Nicholas, R, Walker, P |
---|---|
Формат: | Journal article |
Хэвлэсэн: |
1991
|
Ижил төстэй зүйлс
Ижил төстэй зүйлс
-
GASB HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
-н: Chidley, E, зэрэг
Хэвлэсэн: (1988) -
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
-н: Lakrimi, M, зэрэг
Хэвлэсэн: (1991) -
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
-н: Lakrimi, M, зэрэг
Хэвлэсэн: (1992) -
Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
-н: Maxim A. Ladugin, зэрэг
Хэвлэсэн: (2019-06-01) -
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
-н: Chidley, E, зэрэг
Хэвлэсэн: (1989)