Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Sprog
Alle Felter
Titel
Forfatter
Fag
Klassifikationsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Find
Udvidet
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRES...
Citér dette
Stav dette
Email dette
Udskriv
Eksportér post
Eksportér til RefWorks
Eksportér til EndNoteWeb
Eksportér til EndNote
Permanent link
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
Bibliografiske detaljer
Main Authors:
Warburton, R
,
Beales, T
,
Mason, N
,
Nicholas, R
,
Walker, P
Format:
Journal article
Udgivet:
1991
Beholdninger
Beskrivelse
Lignende værker
Medarbejdervisning
Lignende værker
GASB HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
af: Chidley, E, et al.
Udgivet: (1988)
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
af: Lakrimi, M, et al.
Udgivet: (1991)
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
af: Lakrimi, M, et al.
Udgivet: (1992)
Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
af: Maxim A. Ladugin, et al.
Udgivet: (2019-06-01)
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
af: Chidley, E, et al.
Udgivet: (1989)