Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRES...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Warburton, R
,
Beales, T
,
Mason, N
,
Nicholas, R
,
Walker, P
פורמט:
Journal article
יצא לאור:
1991
מלאי ספרים
תיאור
פריטים דומים
תצוגת צוות
פריטים דומים
GASB HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
מאת: Chidley, E, et al.
יצא לאור: (1988)
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
מאת: Lakrimi, M, et al.
יצא לאור: (1991)
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
מאת: Lakrimi, M, et al.
יצא לאור: (1992)
Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
מאת: Maxim A. Ladugin, et al.
יצא לאור: (2019-06-01)
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
מאת: Chidley, E, et al.
יצא לאור: (1989)