Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Vsa polja
Naslov
Avtor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Išči
Napredno
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRES...
Citiraj
Pošljite SMS
Pošljite email
Natisni
Izvozi zadetek
Izvozi v RefWorks
Izvozi v EndNoteWeb
Izvozi v EndNote
Permanent link
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
Bibliografske podrobnosti
Main Authors:
Warburton, R
,
Beales, T
,
Mason, N
,
Nicholas, R
,
Walker, P
Format:
Journal article
Izdano:
1991
Zaloga
Opis
Podobne knjige/članki
Knjižničarski pogled
Podobne knjige/članki
GASB HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
od: Chidley, E, et al.
Izdano: (1988)
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
od: Lakrimi, M, et al.
Izdano: (1991)
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
od: Lakrimi, M, et al.
Izdano: (1992)
Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
od: Maxim A. Ladugin, et al.
Izdano: (2019-06-01)
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
od: Chidley, E, et al.
Izdano: (1989)