Two-photon spectroscopy in GaN

Two-photon spectroscopy allows to observe unambigously the free A, B, and C excitons with n = 2 in bulk GaN. Their energies allow the precise determination of the three band gaps and of the exciton binding energies. © 1997 Elsevier Science S.A.

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Steube, M, Reimann, K, Frohlich, D, Clarke, S
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	1997

Những quyển sách tương tự

Free excitons with n=2 in bulk GaN
Bằng: Steube, M, et al.
Được phát hành: (1997)

Exciton binding energies and band gaps in GaN bulk crystals
Bằng: Reimann, K, et al.
Được phát hành: (1998)

Two-photon excitation spectroscopy of coupled asymmetric GaN/AlGaN quantum discs
Bằng: Lee, K, et al.
Được phát hành: (2006)

Two-photon excitation of asymmetric GaN/AlGaN quantum discs
Bằng: Lee, K, et al.
Được phát hành: (2007)

Two-photon absorption from single InGaN/GaN quantum dots
Bằng: Jarjour, A, et al.
Được phát hành: (2006)

Two-photon autocorrelation measurements on a single InGaN/GaN quantum dot.
Bằng: Collins, D, et al.
Được phát hành: (2009)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
Bằng: Kyaw, Zabu, et al.
Được phát hành: (2014)

Two-photon photocurrent in InGaN/GaN nanowire intermediate band solar cells
Bằng: Ross Cheriton, et al.
Được phát hành: (2020-08-01)

Experimental demonstration of a two-dimensional hole gas in a GaN/AlGaN/GaN based heterostructure by optical spectroscopy
Bằng: Méchin, Loïc, et al.
Được phát hành: (2024)

Two-photon absorption in single site-controlled InGaN/GaN quantum dots
Bằng: Jarjour, A, et al.
Được phát hành: (2005)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
Bằng: Sun, Xiaowei, et al.
Được phát hành: (2013)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
Bằng: Zhang, Zi-Hui, et al.
Được phát hành: (2013)

Leakage current in GaN-on-GaN vertical GaN SBDs grown by HVPE on native GaN substrates
Bằng: Weiyi Jin, et al.
Được phát hành: (2024-09-01)

Advanced EELS spectroscopy characterization of AlGaN/GaN materials
Bằng: Drouillas Esteve, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

Two-Step GaN Layer Growth for High-Voltage Lateral AlGaN/GaN HEMT
Bằng: Yusnizam Yusuf, et al.
Được phát hành: (2023-01-01)

Photonic Crystal Cavity With Double Heterostructure in GaN Bulk
Bằng: Yu-Chieh Cheng, et al.
Được phát hành: (2013-01-01)

Micro Raman Spectroscopy of Annealed Erbium Implanted GaN
Bằng: Vajpeyi, Agam P., et al.
Được phát hành: (2003)

Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиально- доращиваемых контактных слоев GaN, n-GaN и n+-GaN
Bằng: Павел Владимирович Середин, et al.
Được phát hành: (2024-10-01)

Photophysics of GaN single-photon emitters in the visible spectral range
Bằng: Berhane, Amanuel M., et al.
Được phát hành: (2018)

Simulation and characterization of two-dimensional hole gas in GaN heterostructures for GaN HEMT applications
Bằng: Wong, Yi Jing
Được phát hành: (2022)

Time-resolved spectroscopy of non-thermal carrier dynamics in GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2006)

Two new structurally related strontium gallium nitrides: Sr4GaN3O and Sr4GaN3(CN2).
Bằng: Mallinson, P, et al.
Được phát hành: (2006)

Use of Laser Interferometry to Determine the End Time of the Plasma-Chemical Etching of p-GaN and AlGaN Layers of the p-GaN/AlGaN/GaN Heterostructure with Two-Dimensional Electron Gas
Bằng: A. D. Yunik, et al.
Được phát hành: (2022-12-01)

Progress in Near-Equilibrium Ammonothermal (NEAT) Growth of GaN Substrates for GaN-on-GaN Semiconductor Devices
Bằng: Tadao Hashimoto, et al.
Được phát hành: (2022-08-01)

Multicolor Emission from Ultraviolet GaN-Based Photonic Quasicrystal Nanopyramid Structure with Semipolar In x Ga1−x N/GaN Multiple Quantum Wells
Bằng: Cheng-Chang Chen, et al.
Được phát hành: (2021-09-01)

Effect of InGaN/GaN superlattice as underlayer on characteristics of AlGaN/GaN HEMT
Bằng: Hideyuki Itakura, et al.
Được phát hành: (2020-02-01)

Submicron Embedded Air/GaN Diffraction Gratings for Photonic Applications
Bằng: Oliwia Gołyga, et al.
Được phát hành: (2025-03-01)

Dephasing by optical phonons in GaN defect single-photon emitters
Bằng: Yifei Geng, et al.
Được phát hành: (2023-05-01)

The electrical properties of Au/GaN and PEDOT: PSS/GaN diodes
Bằng: Ali Sadoun, et al.
Được phát hành: (2020-12-01)

Photoluminescence properties of a single GaN nanorod with GaN/AlGaN multilayer quantum disks
Bằng: Yi, SN, et al.
Được phát hành: (2007)

Investigation on Surface Polarization of Al2O3-capped GaN/AlGaN/GaN Heterostructure by Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
Bằng: Tian Li Duan, et al.
Được phát hành: (2017-08-01)

Effects of GaN Buffer Resistance on the Device Performances of AlGaN/GaN HEMTs
Bằng: Ki-Sik Im, et al.
Được phát hành: (2020-09-01)

Effect of GaN Cap Thickness on the DC Performance of AlGaN/GaN HEMTs
Bằng: Zuorong Nie, et al.
Được phát hành: (2024-04-01)

Micro-Raman Spectroscopy Study of Vertical GaN Schottky Diode
Bằng: Atse Julien Eric N’Dohi, et al.
Được phát hành: (2023-04-01)

Multiphysics characterization of GaN HEMTs via micro-Raman spectroscopy
Bằng: Bagnall, Kevin Robert
Được phát hành: (2017)

Non-destructive determination of ultra-thin GaN cap layer thickness in AlGaN/GaN HEMT structure by angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy (ARXPS)
Bằng: Anshu Goyal, et al.
Được phát hành: (2018-02-01)

Studies of Gallium Nitride Electron Mobility Transistors (GaN HEMTs) and GaN Metal-Insulator-Semiconductor (GaN MISHEMT)
Bằng: Lau, Sien Hui
Được phát hành: (2020)

Simulation of Nonpolar p-GaN/i-N/n-GaN Solar Cells
Bằng: Ming-Jer Jeng
Được phát hành: (2012-01-01)

Carrier confinement effects of InxGa1-xN/GaN multi quantum disks with GaN surface barriers grown in GaN nanorods
Bằng: Park, Y, et al.
Được phát hành: (2018)