Two-photon spectroscopy in GaN

Two-photon spectroscopy allows to observe unambigously the free A, B, and C excitons with n = 2 in bulk GaN. Their energies allow the precise determination of the three band gaps and of the exciton binding energies. © 1997 Elsevier Science S.A.

Бібліографічні деталі
Автори:	Steube, M, Reimann, K, Frohlich, D, Clarke, S
Формат:	Journal article
Мова:	English
Опубліковано:	1997

Схожі ресурси

Free excitons with n=2 in bulk GaN
за авторством: Steube, M, та інші
Опубліковано: (1997)

Exciton binding energies and band gaps in GaN bulk crystals
за авторством: Reimann, K, та інші
Опубліковано: (1998)

Two-photon excitation spectroscopy of coupled asymmetric GaN/AlGaN quantum discs
за авторством: Lee, K, та інші
Опубліковано: (2006)

Two-photon excitation of asymmetric GaN/AlGaN quantum discs
за авторством: Lee, K, та інші
Опубліковано: (2007)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: Kyaw, Zabu, та інші
Опубліковано: (2014)

Two-photon absorption from single InGaN/GaN quantum dots
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2006)

Two-photon autocorrelation measurements on a single InGaN/GaN quantum dot.
за авторством: Collins, D, та інші
Опубліковано: (2009)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
за авторством: Sun, Xiaowei, та інші
Опубліковано: (2013)

Experimental demonstration of a two-dimensional hole gas in a GaN/AlGaN/GaN based heterostructure by optical spectroscopy
за авторством: Méchin, Loïc, та інші
Опубліковано: (2024)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
за авторством: Zhang, Zi-Hui, та інші
Опубліковано: (2013)

Two-photon absorption in single site-controlled InGaN/GaN quantum dots
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2005)

Simulation and characterization of two-dimensional hole gas in GaN heterostructures for GaN HEMT applications
за авторством: Wong, Yi Jing
Опубліковано: (2022)

Micro Raman Spectroscopy of Annealed Erbium Implanted GaN
за авторством: Vajpeyi, Agam P., та інші
Опубліковано: (2003)

Photoluminescence properties of a single GaN nanorod with GaN/AlGaN multilayer quantum disks
за авторством: Yi, SN, та інші
Опубліковано: (2007)

Studies of Gallium Nitride Electron Mobility Transistors (GaN HEMTs) and GaN Metal-Insulator-Semiconductor (GaN MISHEMT)
за авторством: Lau, Sien Hui
Опубліковано: (2020)

Photophysics of GaN single-photon emitters in the visible spectral range
за авторством: Berhane, Amanuel M., та інші
Опубліковано: (2018)

Two new structurally related strontium gallium nitrides: Sr4GaN3O and Sr4GaN3(CN2).
за авторством: Mallinson, P, та інші
Опубліковано: (2006)

Time-resolved spectroscopy of non-thermal carrier dynamics in GaN
за авторством: Kyhm, K, та інші
Опубліковано: (2006)

Carrier confinement effects of InxGa1-xN/GaN multi quantum disks with GaN surface barriers grown in GaN nanorods
за авторством: Park, Y, та інші
Опубліковано: (2018)

Vertical GaN-on-GaN Schottky diodes as α-particle radiation sensors
за авторством: Sandupatla, Abhinay, та інші
Опубліковано: (2020)

Studies of GaN-on-GaN vertical Schottky diodes for radiation sensing applications
за авторством: Sandupatla, Abhinay
Опубліковано: (2020)

p-GaN Platform for Next-Generation GaN Complementary Transistors and Circuits
за авторством: Xie, Qingyun
Опубліковано: (2024)

Selective self-assembly and characterization of GaN nanopyramids on m-plane InGaN/GaN quantum disks.
за авторством: Park, Y, та інші
Опубліковано: (2012)

Nanostructured GaN transistors
за авторством: Chowdhury, Nadim, та інші
Опубліковано: (2019)

GaN converter demonstrator
за авторством: Villarama, Joseph Christian Aguilar
Опубліковано: (2022)

GaN power electronics
за авторством: Lu, Bin, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of post-deposition annealing on the interface electronic structures of Al2O3-Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: Duan, Tian Li, та інші
Опубліковано: (2019)

Multiphysics characterization of GaN HEMTs via micro-Raman spectroscopy
за авторством: Bagnall, Kevin Robert
Опубліковано: (2017)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2005)

Fabrication and Characterization of Nano-porous GaN Template for Strain Relaxed GaN Growth
за авторством: Hartono, Haryono, та інші
Опубліковано: (2007)

GaN-on-Silicon integration technology
за авторством: Ng, Geok Ing, та інші
Опубліковано: (2013)

High Temperature Robustness of Enhancement-Mode p-GaN-Gated AlGaN/GaN HEMT Technology
за авторством: Yuan, Mengyang, та інші
Опубліковано: (2023)

Quantum confined carrier transition in a GaN/InGaN/GaN single quantum well bounded by AlGaN barriers
за авторством: Park, Y, та інші
Опубліковано: (2011)

Quantum confined Stark effect of InGaN/GaN multi-quantum disks grown on top of GaN nanorods.
за авторством: Park, Y, та інші
Опубліковано: (2010)

Degradation of vertical GaN-on-GaN fin transistors: Step-stress and constant voltage experiments
за авторством: Ruzzarin, M., та інші
Опубліковано: (2019)

AlGaN/GaN-based power semiconductor switches
за авторством: Lu, Bin, Ph. D. Massachusetts Institute of Technology
Опубліковано: (2013)

Positioning of periodic AlN/GaN multilayers: Effect on crystalline quality of a-plane GaN
за авторством: Kamarudzaman, Anas, та інші
Опубліковано: (2020)

AlGaN/GaN HEMT With 300-GHz fmax
за авторством: Chung, Jinwook, та інші
Опубліковано: (2013)

GaN Ring Oscillators Operational at 500 °C Based on a GaN-on-Si Platform
за авторством: Yuan, Mengyang, та інші
Опубліковано: (2023)