Phase separation induced by Au catalysts in ternary InGaAs nanowires.

Phase separation induced by Au catalysts in ternary InGaAs nanowires.

We report a novel phase separation phenomenon observed in the growth of ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires by metalorganic chemical vapor deposition. A spontaneous formation of core-shell nanowires is investigated by cross-sectional transmission electron microscopy, revealing the compositional complex...

Volledige beschrijving

Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:	Guo, Y, Xu, H, Auchterlonie, G, Burgess, T, Joyce, H, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C, Shu, H, Chen, X, Lu, W, Kim, Y, Zou, J
Formaat:	Journal article
Taal:	English
Gepubliceerd in:	2013

Gelijkaardige items

Influence of nanowire density on the shape and optical properties of ternary InGaAs nanowires.
door: Kim, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Crystallographically driven Au catalyst movement during growth of InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Evolution of InAs branches in InAsGaAs nanowire heterostructures
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Growth mechanism of truncated triangular GaAs nanowires
door: Zou, J, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Understanding the true shape of Au-catalyzed GaAs nanowires.
door: Jiang, N, et al.
Gepubliceerd in: (2014)

Novel growth phenomena observed in axial InAs/GaAs nanowire heterostructures.
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Au-catalyzed InP nanowires: The influence of growth temperature and V/III ratio
door: Paiman, S, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Formation of hierarchical InAs nanoring/GaAs nanowire heterostructures.
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Self-healing of fractured GaAs nanowires.
door: Wang, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.
door: Zhang, X, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Polarity driven formation of InAs/GaAs hierarchical nanowire heterostructures
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Super deformability and Young's modulus of GaAs nanowires.
door: Wang, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Evolution of wurtzite structured GaAs shells around InAs nanowire cores
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Twin-free uniform epitaxial GaAs nanowires grown by a two-temperature process.
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Vertically standing Ge nanowires on GaAs(110) substrates
door: Song, MS, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Failure and formation of axial nanowire heterostructures in vapor-liquid-solid growth
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Growth mechanism of truncated triangular III-V nanowires.
door: Zou, J, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Effects of interdiffusion on the luminescence of InGaAs/GaAs quantum dots
door: Leon, R, et al.
Gepubliceerd in: (1996)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Long minority carrier lifetime in Au-catalyzed GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires
door: Jiang, N, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Precursor flow rate manipulation for the controlled fabrication of twin-free GaAs nanowires on silicon substrates.
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Structural and optical characterization of vertical GaAs/GaP core-shell nanowires grown on Si substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Growth, structural and optical properties of high quality gaAs nanowires for optoelectronics
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Influence of growth temperature and V/III ratio on Au-assisted In xGa1-xAs nanowires
door: Ameruddin, A, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Improvement of morphology, structure, and optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
door: Jackson, H, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Improved carrier collection in intermixed InGaAs/GaAs quantum wells
door: Dao, L, et al.
Gepubliceerd in: (1998)

Growth of straight InAs-on-GaAs nanowire heterostructures
door: Messing, M, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

High Purity GaAs Nanowires Free of Planar Defects: Growth and Characterization
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
door: Russell-Harriott, J, et al.
Gepubliceerd in: (1998)

Growth of III-V nanowires and nanowire heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Effect of high temperature post-annealing on sidewalls of GaAs NWs grown by MOCVD
door: Guo, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
door: Perera, S, et al.
Gepubliceerd in: (2008)