Chuyển đến nội dung
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Ngôn ngữ
Tất cả các trường
Tiêu đề
Tác giả
Chủ đề
Số hiệu
số ISBN/ISSN
Nhãn
Tìm kiếm
Nâng cao
THE GEOMETRY OF MISFIT DISLOCA...
Trích dẫn điều này
Văn bản này
Email này
In
Xuất bản ghi
Xuất tới RefWorks
Xuất tới EndNoteWeb
Xuất tới EndNote
Liên kết dài hạn
THE GEOMETRY OF MISFIT DISLOCATIONS WITH RESPECT TO THE STRAINED INTERFACE IN [001] IN0.1GA0.9AS/GAAS SINGLE HETEROSTRUCTURES
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Jiang, S
Định dạng:
Journal article
Được phát hành:
1994
Đang giữ
Miêu tả
Những quyển sách tương tự
Chế độ xem nhân viên
Những quyển sách tương tự
EQUILIBRIUM DISSOCIATION CONFIGURATION OF MISFIT DISLOCATIONS IN LOW STRAINED IN0.1GA0.9AS/GAAS SINGLE HETEROSTRUCTURES
Bằng: Zou, J, et al.
Được phát hành: (1993)
Lomer-Cottrell misfit dislocations in [001]In0.2Ga0.8As/GaAs single heterostructures
Bằng: Zou, J, et al.
Được phát hành: (1996)
MISFIT DISLOCATIONS LYING ALONG (100) IN [001] GAAS/IN0.25GA0.75AS/GAAS QUANTUM-WELL HETEROSTRUCTURES
Bằng: Zou, J, et al.
Được phát hành: (1994)
Temperature-dependent generation of misfit dislocations in In0.2Ga0.8As/GaAs single heterostructures
Bằng: Zou, J, et al.
Được phát hành: (1996)
THEORETICAL CONSIDERATION OF MISFIT DISLOCATION NUCLEATION BY PARTIAL DISLOCATIONS IN [001] STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES
Bằng: Zou, J, et al.
Được phát hành: (1993)