Picosecond photoluminescence intensity correlation measurements of hot carriers in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells
We have measured the energy relaxation of hot carriers in doped and undoped GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells by detecting time-resolved hot luminescence using a two-pulse intensity correlation technique. The results are compared with time-dependent intensity correlation functions calculated using a mod...
Հիմնական հեղինակներ: | de Paula, A, Ryan, J, Eakin, H, Tatham, M, Taylor, R, Turberfield, A |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
Elsevier
1994
|
Նմանատիպ նյութեր
-
PICOSECOND PHOTOLUMINESCENCE INTENSITY CORRELATION-MEASUREMENTS OF HOT CARRIERS IN GAAS/ALXGA1-XAS QUANTUM-WELLS
: Depaula, A, և այլն
Հրապարակվել է: (1994) -
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
: Ahmed Z. Obaid, և այլն
Հրապարակվել է: (2024-09-01) -
Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
: Y. C. Chang, և այլն
Հրապարակվել է: (2015-06-01) -
Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
: Jiang, N, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
: Oleg V. Devitsky, և այլն
Հրապարակվել է: (2022-05-01)