Picosecond photoluminescence intensity correlation measurements of hot carriers in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells

Picosecond photoluminescence intensity correlation measurements of hot carriers in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells

Hiển thị phiên bản (1) khác

We have measured the energy relaxation of hot carriers in doped and undoped GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells by detecting time-resolved hot luminescence using a two-pulse intensity correlation technique. The results are compared with time-dependent intensity correlation functions calculated using a mod...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	de Paula, A, Ryan, J, Eakin, H, Tatham, M, Taylor, R, Turberfield, A
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	Elsevier 1994

Những quyển sách tương tự

PICOSECOND PHOTOLUMINESCENCE INTENSITY CORRELATION-MEASUREMENTS OF HOT CARRIERS IN GAAS/ALXGA1-XAS QUANTUM-WELLS
Bằng: Depaula, A, et al.
Được phát hành: (1994)

Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
Bằng: Ahmed Z. Obaid, et al.
Được phát hành: (2024-09-01)

Phonon bottleneck in GaAs/AlxGa1−xAs quantum dots
Bằng: Y. C. Chang, et al.
Được phát hành: (2015-06-01)

Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
Bằng: Jiang, N, et al.
Được phát hành: (2012)

SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
Bằng: Oleg V. Devitsky, et al.
Được phát hành: (2022-05-01)

Ion damage buildup and amorphization processes in GaAs-AlxGa1-xAs multilayers
Bằng: Tan, H, et al.
Được phát hành: (1996)

Long minority carrier lifetime in Au-catalyzed GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires
Bằng: Jiang, N, et al.
Được phát hành: (2012)

Piezoelectric effects of single-crystal GaAs and multi-layered AlxGa1-xAs/GaAs material measured by the Michelson interferometer
Bằng: Patara Aiyarak, et al.
Được phát hành: (2003-09-01)

Topographical, compositional, and dopant contrast from cleavage surfaces of GaAs-AlxGa1-xAs superlattices
Bằng: Castell, M, et al.
Được phát hành: (1995)

Far Infrared Modulated Photoluminescence (FIRM-PL) study of a 2-D electron gas in GaAs/AlxGa1-xAs heterojunctions and quantum wells
Bằng: Nicholas, R, et al.
Được phát hành: (2000)

Energy shifts of heavy and light holes and electroluminescence intensity increase in p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs laser diode heterostructure under uniaxial compression
Bằng: Bogdanov, E., et al.
Được phát hành: (2011-02-01)

Formation Technology of Graded-Gap AlxGa1-xAs Solar Cell Structure Separated from GaAs Substrate
Bằng: Aldis ŠILĖNAS, et al.
Được phát hành: (2014-06-01)

A far infrared modulated photoluminescence (FIRM-PL) study of cyclotron resonance in a 2D electron gas in GaAs/AlxGa1-xAs heterojunctions
Bằng: Chang, C, et al.
Được phát hành: (1999)

Properties of AlxGa1−xAs grown from a mixed Ga–Bi melt
Bằng: Olga Khvostikova, et al.
Được phát hành: (2024-01-01)

MEASUREMENTS OF HOT CARRIER RELAXATION AND RECOMBINATION IN GaAs QUANTUM WELLS BY PICOSECOND OPTICAL PROBING.
Bằng: Ryan, J, et al.
Được phát hành: (1984)

Propriedades elétricas da liga AlxGa1-xAs dopada com Silício.
Bằng: Ivan Frederico Lupiano Dias, et al.
Được phát hành: (2004-12-01)

Growth and Characterization of AlxGa1-xAs Obtained by Metallic-Arsenic-Based-MOCVD
Bằng: Roberto Saúl Castillo-Ojeda, et al.
Được phát hành: (2017-03-01)

Effects of hills, morphology, electromagnetic fields, temperature, pressure, and aluminum concentration on the second harmonic generation of GaAs/AlxGa1-xAs elliptical quantum rings
Bằng: N. Benzerroug, et al.
Được phát hành: (2024-08-01)

Etude analytique d’une cellule solaire à hétérojonction p+ (GaAs)/n (AlxGa1-xAs)/N (Al0.4Ga0.6As)
Bằng: H. Ben Slimane, et al.
Được phát hành: (2008-06-01)

Time-resolved photoluminescence of two-dimensional hot carriers in GaAs-AlGaAs heterostructures
Bằng: Ryan, J, et al.
Được phát hành: (1984)

Numerical study of valence band states evolution in AlxGa1-xAs [111] QDs systems
Bằng: Mikhail Lazarev
Được phát hành: (2024-02-01)

Picosecond photoluminescence measurements of Landau level lifetimes and time dependent Landau level linebroadening in modulation-doped GaAs-GaAlAs multiple quantum wells
Bằng: Ryan, J, et al.
Được phát hành: (1985)

ELECTRON-LO-PHONON SCATTERING RATES IN GAAS-ALXGA1-XAS QUANTUM-WELLS
Bằng: Weber, G, et al.
Được phát hành: (1991)

Research of synthesis conditions and structural features of heterostructure AlXGa1-XAs/GaAs of the “desert rose” type
Bằng: Yana Suchikova, et al.
Được phát hành: (2022-12-01)

Effect of boron incorporation on the structural and photoluminescence properties of highly-strained InxGa1-xAs/GaAs multiple quantum wells
Bằng: Qi Wang, et al.
Được phát hành: (2013-07-01)

The electrical characteristic of AlxGa1-xSb thin films /
Bằng: 451516 Law, Tien Shyang, et al.
Được phát hành: (2010)

Time-resolved photoluminescence from hot two-dimensional carriers in GaAsGaAlAs MQWS
Bằng: Ryan, J, et al.
Được phát hành: (1986)

Observation of magnetophotoluminescence from a GaN/AlxGa1-xN heterojunction
Bằng: Shields, P, et al.
Được phát hành: (2002)

INFLUENCE OF LIGHT ON THE CONFINEMENT POTENTIAL OF GAAS/ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS
Bằng: Michels, J, et al.
Được phát hành: (1995)

MAGNETOOPTICAL STUDIES OF SCREENED EXCITONS IN GAAS/ALXGA1-XAS MODULATION-DOPED QUANTUM-WELLS
Bằng: Henriques, A, et al.
Được phát hành: (1992)

Picosecond carrier lifetime measurements on a single GaAs Nanowire
Bằng: Parkinson, P, et al.
Được phát hành: (2012)

Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies
Bằng: Shields, P, et al.
Được phát hành: (2001)

HOT ELECTRON RELAXATION AND TRAPPING IN MODULATION-DOPED GaAs/GaA1As MULTIPLE QUANTUM WELL HETEROSTRUCTURES.
Bằng: Ryan, J, et al.
Được phát hành: (1985)

Carrier capture and relaxation in Stranski-Krastanow InxGa1-xAs/GaAs(311)B quantum dots
Bằng: Lobo, C, et al.
Được phát hành: (2000)

Critical parameters for the presence of a 2DEG in GaN/AlxGa1−xN heterostructures
Bằng: T. Scheinert, et al.
Được phát hành: (2019-12-01)

Effect of oxygen on the crystallinity and defect state of AlxGa1−xN epilayers
Bằng: Chang Wan Ahn, et al.
Được phát hành: (2023-01-01)

Optical properties of GaAs/Al_xGa_{1-x}As/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
Bằng: V.A. Holovatsky, et al.
Được phát hành: (2018-03-01)

Indium segregation and enrichment in coherent InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
Bằng: Liao, X, et al.
Được phát hành: (1999)

Magneto-photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum wells and quantum dots grown on (111)B GaAs substrate
Bằng: Tyan, S, et al.
Được phát hành: (2000)

Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for AlxGa1−xN/GaN HEMT
Bằng: Jing Cai, et al.
Được phát hành: (2024-03-01)