Quantum beats of free and bound excitons in GaN

Quantum beats of free and bound excitons in GaN

Zobrazit další vydání (1)

We present spectrally resolved and time-integrated four-wave mixing measurements at coherent dynamics of bound excitons in a high-quality GaN epilayer. Coherent excitation, with co-circular polarized light, of the neutral donor-bound excitons (D 0X) and A excitons (XA) results in quantum beats, corr...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Kyhm, K, Taylor, R, Ryan, J, Aoki, T, Kuwata-Gonokami, M, Beaumont, B, Gibart, P
Médium:	Journal article
Jazyk:	English
Vydáno:	2001

Podobné jednotky

Quantum beats of free and bound excitons in GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2001)

Comparison of exciton-biexciton with bound exciton-biexciton dynamics in GaN: Quantum beats and temperature dependence of the acoustic-phonon interaction
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2001)

Comparison of exciton-biexciton with bound exciton-biexciton dynamics in GaN: Quantum beats and temperature dependence of the acoustic-phonon interaction
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2001)

Coherent exciton-biexciton dynamics in GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2002)

Coherent exciton-biexciton dynamics in GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2002)

Femtosecond exciton dynamics and the Mott transition in GaN under resonant excitation
Autor: Hess, S, a další
Vydáno: (1999)

Femtosecond exciton dynamics and the mott transition in GaN under resonant excitation
Autor: Hess, S, a další
Vydáno: (1999)

Dynamics of resonantly excited excitons in GaN
Autor: Hess, S, a další
Vydáno: (1998)

Dynamics of resonantly excited excitons in GaN
Autor: Hess, S, a další
Vydáno: (1998)

Electron-hole plasma mott transition and stimulated emission in GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2004)

Electron-hole plasma mott transition and stimulated emission in GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2004)

Optical gain in GaN epilayers
Autor: Hess, S, a další
Vydáno: (1998)

Optical gain in GaN epilayers
Autor: Hess, S, a další
Vydáno: (1998)

Free excitons with n=2 in bulk GaN
Autor: Steube, M, a další
Vydáno: (1997)

Stimulated emission and excitonic bleaching in GaN epilayers under high-density excitation
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (1999)

Time-resolved bandgap renormalization and gain in GaN epilayers
Autor: Hess, S, a další
Vydáno: (1998)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot.
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

Quantum confined carrier transition in a GaN/InGaN/GaN single quantum well bounded by AlGaN barriers
Autor: Park, Y, a další
Vydáno: (2011)

Exciton quantum beats in GaAs/AlAs disk-shaped quantum dots
Autor: Thi Dieu Hien Le, a další
Vydáno: (2023-06-01)

Dependence of GaN Exciton Energy on Temperature
Autor: Xiancheng Liu, a další
Vydáno: (2025-01-01)

Effect of Eu-implantation and annealing on the GaN quantum dots excitonic recombination
Autor: Alves Eduardo, a další
Vydáno: (2011-01-01)

Effects of Surface Recombination on Exciton Dynamics in GaN Nanorods
Autor: Park, Y, a další
Vydáno: (2009)

Hot carrier relaxation in GaN : LO phonon scattering and excitonic effects
Autor: O'Sullivan, E, a další
Vydáno: (1999)

Enhanced excitonic emission efficiency in porous GaN
Autor: Thi Huong Ngo, a další
Vydáno: (2018-10-01)

Hot carrier dynamics and carrier-phonon interaction in GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2005)

Direct observation of the core structures of threading dislocations in GaN
Autor: Xin, Y, a další
Vydáno: (1998)

GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization.
Autor: Park, Y, a další
Vydáno: (2011)

GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization
Autor: Holmes Mark, a další
Vydáno: (2011-01-01)

GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization
Autor: Park, Y, a další
Vydáno: (2011)

Time-resolved spectroscopy of non-thermal carrier dynamics in GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2006)

Time-resolved spectroscopy of non-thermal carrier dynamics in GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2006)

Quantum confined Stark effect of InGaN/GaN multi-quantum disks grown on top of GaN nanorods.
Autor: Park, Y, a další
Vydáno: (2010)

Many-Body Calculations of Excitons in Two-Dimensional GaN
Autor: Yachao Zhang
Vydáno: (2023-07-01)

Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies
Autor: Shields, P, a další
Vydáno: (2001)

Free carrier screening in coupled asymmetric GaN quantum discs
Autor: Lee, K, a další
Vydáno: (2006)

Non-equilibrium carrier dynamics and many body effects in highly excited GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2011)

Carrier confinement effects of InxGa1-xN/GaN multi quantum disks with GaN surface barriers grown in GaN nanorods
Autor: Park, Y, a další
Vydáno: (2018)

Exciton binding energies and band gaps in GaN bulk crystals
Autor: Reimann, K, a další
Vydáno: (1998)

Hot phonons and non-thermal carrier states in GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2002)