Optimizing substrate surface and catalyst conditions for high yield chemical vapor deposition grown epitaxially aligned single-walled carbon nanotubes
Single-crystal stable-temperature (ST)-cut quartz substrates, which have a (0 1 1 1) crystallographic plane with their surface normal lying close to 38° from the y axis ([0 1 0]), were annealed in air prior to use as a support for aligned carbon nanotube growth by chemical vapor deposition. Very smo...
প্রধান লেখক: | Ibrahim, I, Bachmatiuk, A, Börrnert, F, Wolff, U, Büchner, B, Rümmeli, M, Blüher, J, Cuniberti, G, Warner, J |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
প্রকাশিত: |
2011
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Optimizing substrate surface and catalyst conditions for high yield chemical vapor deposition grown epitaxially aligned single-walled carbon nanotubes
অনুযায়ী: Ibrahim, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011) -
CVD-grown horizontally aligned single-walled carbon nanotubes: synthesis routes and growth mechanisms.
অনুযায়ী: Ibrahim, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2012) -
Unravelling the mechanisms behind mixed catalysts for the high yield production of single-walled carbon nanotubes.
অনুযায়ী: Tetali, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2009) -
In-situ observations of restructuring carbon nanotubes via low-voltage aberration-corrected transmission electron microscopy
অনুযায়ী: Börrnert, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011) -
The formation of stacked-cup carbon nanotubes using chemical vapor deposition from ethanol over silica
অনুযায়ী: Bachmatiuk, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010)