Defect mediated extraction in InAs/GaAs quantum dot solar cells

Defect mediated extraction in InAs/GaAs quantum dot solar cells

Zobrazit další vydání (1)

Embedding quantum dots into the intrinsic layer of a p-i-n solar cell has been proposed as a method of increasing solar cell photocurrent by improving its long-wavelength light response. However, strong carrier localization and efficient radiative recombination in quantum dots are large barriers to...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Willis, S, Dimmock, J, Tutu, F, Liu, H, Peinado, MG, Assender, H, Watt, A, Sellers, I
Médium:	Journal article
Jazyk:	English
Vydáno:	2012

Podobné jednotky

Defect mediated extraction in InAs/GaAs quantum dot solar cells
Autor: Willis, S, a další
Vydáno: (2012)

Improved performance of multilayer InAs/GaAs quantum-dot solar cells using a high-growth-temperature GaAs spacer layer
Autor: Tutu, F, a další
Vydáno: (2012)

Improved performance of multilayer InAs/GaAs quantum-dot solar cells using a high-growth-temperature GaAs spacer layer
Autor: Tutu, F, a další
Vydáno: (2012)

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2008)

Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE
Autor: Roslan, Sharizar, a další
Vydáno: (2006)

Quantitative strain analysis of InAs/GaAs quantum dot materials
Autor: Vullum, Per Erik, a další
Vydáno: (2018)

Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE /
Autor: Zulkafli Othaman, author, a další
Vydáno: (2007)

Formation of self-assembled InAs quantum dots on (110) GaAs substrates
Autor: Wasserman, D, a další
Vydáno: (2003)

Dynamical band gap renormalization in self-organized InAs/GaAs quantum dots
Autor: Yuan, Z, a další
Vydáno: (2000)

Growth of straight InAs-on-GaAs nanowire heterostructures
Autor: Messing, M, a další
Vydáno: (2011)

Study of modulation doping and ridge height effects in InAs/GaAs quantum dot lasers
Autor: Wang, Rui
Vydáno: (2012)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2006)

Effects of rapid thermal annealing on structure and luminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
Autor: Xu, S. J., a další
Vydáno: (2013)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2011)

Formation of hierarchical InAs nanoring/GaAs nanowire heterostructures.
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2009)

Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.
Autor: Zhang, X, a další
Vydáno: (2009)

X-ray diffraction and optical characterization of interdiffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum-dot superlattices
Autor: Xu, S. J., a další
Vydáno: (2013)

InAs/GaAs quantum dots grown by metal organic chemical vapor deposition at different temperatures
Autor: Muhammad, Rosnita, a další
Vydáno: (2008)

Scanning near-field photoluminescence mapping of (110)InAs-GaAs self-assembled quantum dots
Autor: Hadjipanayi, M, a další
Vydáno: (2004)

Polarity driven formation of InAs/GaAs hierarchical nanowire heterostructures
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2008)

Many-body effects in carrier capture and energy relaxation in self-organized InAs/GaAs quantum dots
Autor: Yuan, Z, a další
Vydáno: (1999)

Widely tunable intersubband energy spacing of self-assembled InAs/GaAs quantum dots due to interface intermixing
Autor: Wang, X. C., a další
Vydáno: (2013)

Novel growth phenomena observed in axial InAs/GaAs nanowire heterostructures.
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2007)

Evolution of wurtzite structured GaAs shells around InAs nanowire cores
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2009)

Studies of InAs and GaAs layers prepared by molecular beam epitaxy
Autor: Grange, John David
Vydáno: (1980)

On the growth of (100) GaAs and (100) InAs by molecular beam epitaxy
Autor: Newstead, Simon Marc
Vydáno: (1987)

InAs/GaAs quantum dots on germanium-on-insulator-on-silicon substrates (GeOI) using molecular beam epitaxy
Autor: Fitzgerald, Eugene A., a další
Vydáno: (2013)

Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
Autor: Russell-Harriott, J, a další
Vydáno: (1998)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2013)

Thermal effects in 1.3-μm InAs/GaAs quantum-dot vertical-cavity surface-emitting lasers
Autor: Xu, Dawei
Vydáno: (2011)

Electronic structure and optical gain saturation of InAs[sub 1−x]N[sub x]/GaAs quantum dots
Autor: Zhang, X. W., a další
Vydáno: (2013)

The effects of thermal annealing on the photoluminescence and DC characteristics of 1.3 µm p-doped InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers
Autor: Zhao, Hanxue, a další
Vydáno: (2013)

The transitional heterojunction behavior of PbS/ZnO colloidal quantum dot solar cells.
Autor: Willis, S, a další
Vydáno: (2012)

Effects of interdiffusion on the luminescence of InGaAs/GaAs quantum dots
Autor: Leon, R, a další
Vydáno: (1996)

Defect and temperature dependence of tunneling in InAs/GaSb heterojunctions
Autor: Iutzi, Ryan (Ryan Michael), a další
Vydáno: (2016)

Crystallographically driven Au catalyst movement during growth of InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2009)

Adatom condensation and quantum dot sizes in InGaAs/GaAs (001)
Autor: Leon, R, a další
Vydáno: (2000)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2011)

Magneto-photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum wells and quantum dots grown on (111)B GaAs substrate
Autor: Tyan, S, a další
Vydáno: (2000)