Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector

A single GaAs nanowire (NW) photodetector (PD) is fabricated based on the back-to-back Schottky diode structure. Optoelectronic properties are characterized by measuring device photocurrent, and also the spectral response, which indicates our device is very sensitive and applicable as a PD. © 2012 I...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Wang, H, Parkinson, P, Tian, J, Saxena, D, Mokkapati, S, Gao, Q, Prasai, P, Fu, L, Karouta, F, Tan, H, Jagadish, C
Формат:	Conference item
Опубліковано:	2012

Схожі ресурси

Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers
за авторством: Saxena, D, та інші
Опубліковано: (2013)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2011)

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Mokkapati, S, та інші
Опубліковано: (2013)

Transient terahertz conductivity of GaAs nanowires
за авторством: Parkinson, P, та інші
Опубліковано: (2007)

Growth, structural and optical properties of high quality gaAs nanowires for optoelectronics
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2008)

Picosecond carrier lifetime measurements on a single GaAs Nanowire
за авторством: Parkinson, P, та інші
Опубліковано: (2012)

Enhanced minority carrier lifetimes in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires through shell growth optimization.
за авторством: Jiang, N, та інші
Опубліковано: (2013)

Droplet epitaxy of strain-free GaAs/AlGaAs quantum molecules for optoelectronic applications
за авторством: Lei, W, та інші
Опубліковано: (2012)

High performance GaAs/AlGaAs radial heterostructure nanowires grown by MOCVD
за авторством: Jiang, N, та інші
Опубліковано: (2013)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2007)

III-V nanowires for optoelectronic applications
за авторством: Tan, H, та інші
Опубліковано: (2013)

Growth and characterization of GaAs1and#x2212;xSbx nanowires
за авторством: Yuan, X, та інші
Опубліковано: (2012)

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
за авторством: Paladugu, M, та інші
Опубліковано: (2008)

Improved GaAs nanowire solar cells using AlGaAs for surface passivation
за авторством: Lee, Y, та інші
Опубліковано: (2012)

III-V nanowires for optoelectronic applications
за авторством: Tan, H, та інші
Опубліковано: (2012)

Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
за авторством: Jiang, N, та інші
Опубліковано: (2012)

Self-healing of fractured GaAs nanowires.
за авторством: Wang, Y, та інші
Опубліковано: (2011)

Electron mobilities approaching bulk limits in "surface-free" GaAs nanowires.
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2014)

Quantum dots and nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Gao, Q, та інші
Опубліковано: (2006)

Long minority carrier lifetime in Au-catalyzed GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires
за авторством: Jiang, N, та інші
Опубліковано: (2012)

Growth mechanism of truncated triangular GaAs nanowires
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (2006)

Understanding the true shape of Au-catalyzed GaAs nanowires.
за авторством: Jiang, N, та інші
Опубліковано: (2014)

Super deformability and Young's modulus of GaAs nanowires.
за авторством: Wang, Y, та інші
Опубліковано: (2011)

Growth of straight InAs-on-GaAs nanowire heterostructures
за авторством: Messing, M, та інші
Опубліковано: (2011)

Doping-enhanced radiative efficiency enables lasing in unpassivated GaAs nanowires
за авторством: Tim Burgess, та інші
Опубліковано: (2016-06-01)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
за авторством: Paladugu, M, та інші
Опубліковано: (2006)

Vertically standing Ge nanowires on GaAs(110) substrates
за авторством: Song, MS, та інші
Опубліковано: (2008)

Formation of hierarchical InAs nanoring/GaAs nanowire heterostructures.
за авторством: Paladugu, M, та інші
Опубліковано: (2009)

Facet-Related Non-uniform Photoluminescence in Passivated GaAs Nanowires
за авторством: Nian Jiang, та інші
Опубліковано: (2020-12-01)

The influence of surfaces on the transient terahertz conductivity and electron mobility of GaAs nanowires
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2017)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
за авторством: Kang, J, та інші
Опубліковано: (2010)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
за авторством: Jackson, H, та інші
Опубліковано: (2008)

Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.
за авторством: Zhang, X, та інші
Опубліковано: (2009)

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2006)

Precursor flow rate manipulation for the controlled fabrication of twin-free GaAs nanowires on silicon substrates.
за авторством: Kang, J, та інші
Опубліковано: (2012)

Polarity driven formation of InAs/GaAs hierarchical nanowire heterostructures
за авторством: Paladugu, M, та інші
Опубліковано: (2008)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2013)

Strong carrier lifetime enhancement in GaAs nanowires coated with semiconducting polymer.
за авторством: Yong, C, та інші
Опубліковано: (2012)

Novel growth phenomena observed in axial InAs/GaAs nanowire heterostructures.
за авторством: Paladugu, M, та інші
Опубліковано: (2007)