GaAs high temperature optical constants and application to optical monitoring within the MOVPE environment
The real and imaginary components of the GaAs refractive index at temperatures between 20-700 degrees C have been obtained. Measurements were made by comparing the variable angle reflectivity of p-polarized and s-polarized 633 nm wavelength light from a deoxidized GaAs surface. By using these temper...
Հիմնական հեղինակներ: | Allwood, D, Klipstein, P, Mason, N, Nicholas, R, Walker, P |
---|---|
Ձևաչափ: | Conference item |
Հրապարակվել է: |
Minerals, Metals and Materials Soc (TMS)
2000
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
: Maxim A. Ladugin, և այլն
Հրապարակվել է: (2019-06-01) -
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
: Warburton, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1991) -
Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE
: Roslan, Sharizar, և այլն
Հրապարակվել է: (2006) -
Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE /
: Zulkafli Othaman, author, և այլն
Հրապարակվել է: (2007) -
Arsenic Diffusion in MOVPE‐Grown GaAs/Ge Epitaxial Structures
: V. Orejuela, և այլն
Հրապարակվել է: (2024-09-01)