EXCITATION-ENHANCED DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS - A MICROSCOPIC MECHANISM

EXCITATION-ENHANCED DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS - A MICROSCOPIC MECHANISM

Бібліографічні деталі
Автори:	Maeda, N, Takeuchi, S
Формат:	Conference item
Опубліковано:	1989

Схожі ресурси

EFFECT OF SURFACE-CHARGE ON THE DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Czernuszka, J
Опубліковано: (1989)

EFFECT OF SURFACE-CHARGE ON THE DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Czernuszka, J
Опубліковано: (1989)

Atomistic simulation of structure and mobility of dislocation in semiconductor
за авторством: Choo, Zhi Min.
Опубліковано: (2008)

Dislocations in semiconductors
за авторством: Bigger, J
Опубліковано: (1992)

DISLOCATION MECHANISMS FOR TWINNING AND POLYTYPIC TRANSFORMATIONS IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Pirouz, P
Опубліковано: (1989)

DISLOCATION GEOMETRIES IN SEMICONDUCTORS AND IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
за авторством: Cockayne, D, та інші
Опубліковано: (1991)

MECHANICAL-PROPERTIES AND DISLOCATION DYNAMICS OF COMPOUND AND ALLOY SEMICONDUCTORS
за авторством: Yonenaga, I, та інші
Опубліковано: (1989)

CAPACITANCE TRANSIENT SPECTROSCOPY OF DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Schroter, W, та інші
Опубліковано: (1989)

LINESHAPE OF COMBINED RESONANCE ON DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Koshelev, A, та інші
Опубліковано: (1989)

A study of dislocations in lattice-mismatched semiconductors
за авторством: Yu, Ying
Опубліковано: (2011)

Contrast-enhanced fluorescence microscope by LED integrated excitation cubes
за авторством: Yuanhua Liu, та інші
Опубліковано: (2023-02-01)

PARTIAL SEPARATIONS OF EXTENDED ALPHA-DISLOCATIONS AND BETA-DISLOCATIONS IN II-VI SEMICONDUCTORS
за авторством: Lu, G, та інші
Опубліковано: (1986)

STRUCTURE AND PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS 1989 - PREFACE
за авторством: Hirsch, P, та інші
Опубліковано: (1989)

STRUCTURE AND PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS 1989 - PREFACE
за авторством: Hirsch, P, та інші
Опубліковано: (1989)

IMPURITY EFFECTS ON DYNAMIC BEHAVIOR OF DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Sumino, K
Опубліковано: (1989)

DISLOCATION-STRUCTURES AND MOTION IN II-VI SEMICONDUCTORS
за авторством: Lu, G, та інші
Опубліковано: (1983)

Intense terahertz excitation of semiconductors /
за авторством: 193593 Ganichev, S. D., та інші
Опубліковано: (2006)

Localized nonlinear waves in a semiconductor with charged dislocations
за авторством: Erofeev Vladimir I., та інші
Опубліковано: (2021-01-01)

Methods of dislocation structure characterization in AIIIBV semiconductor single crystals
за авторством: Stanislav N. Knyazev, та інші
Опубліковано: (2022-12-01)

Microscopic Study on Excitation and Emission Enhancement by the Plasmon Mode on a Plasmonic Chip
за авторством: Hinako Chida, та інші
Опубліковано: (2020-11-01)

IMAGING OF DISLOCATIONS USING BACKSCATTERED ELECTRONS IN A SCANNING ELECTRON-MICROSCOPE
за авторством: Czernuszka, J, та інші
Опубліковано: (1990)

DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS AS STUDIED BY WEAK-BEAM ELECTRON-MICROSCOPY
за авторством: Cockayne, D, та інші
Опубліковано: (1979)

Super-diffusion of excited carriers in semiconductors
за авторством: Ebrahim Najafi, та інші
Опубліковано: (2017-05-01)

Atomistics of dislocation mobility in silicon : core structure and mechanisms
за авторством: Justo Filho, João F
Опубліковано: (2009)

ELECTRICAL AND OPTICAL PHENOMENA OF II-VI SEMICONDUCTORS ASSOCIATED WITH DISLOCATIONS
за авторством: Ossipyan, Y
Опубліковано: (1989)

Weak discontinuity waves in n-type semiconductors with defects of dislocation
за авторством: Maria Paola Mazzeo, та інші
Опубліковано: (2019-12-01)

Microscopic theory of semiconductors : quantum kinetics, confinement and laser /
за авторством: Koch, Stephan W.
Опубліковано: (1995)

Thermal-Optical Mechanical Waves of the Excited Microelongated Semiconductor Layer in a Rotational Field
за авторством: Abdulkafi M. Saeed, та інші
Опубліковано: (2022-12-01)

Photoluminescence and photoluminescence excitation study of semiconductor materials
за авторством: Ngian, Jin Shun.
Опубліковано: (2009)

Mechanisms of mobile bearing dislocation in lateral unicompartmental knee replacement
за авторством: Yang, I, та інші
Опубліковано: (2023)

Microscopic origin of molecule excitation via inelastic electron scattering in scanning tunneling microscope
за авторством: Guohui Dong, та інші
Опубліковано: (2020-01-01)

Magnetic Field Influence of Photo-Mechanical-Thermal Waves for Optically Excited Microelongated Semiconductor
за авторством: Abdulkafi M. Saeed, та інші
Опубліковано: (2022-12-01)

MOBILITY OF DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
за авторством: Alexander, H, та інші
Опубліковано: (1989)

HIGH SPATIAL-RESOLUTION CATHODOLUMINESCENCE FROM DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS STUDIES IN A TEM
за авторством: Steeds, J
Опубліковано: (1989)

Density-dependent phonoriton states in highly excited semiconductors /
за авторством: 333447 Quang, Nguyen Hong, та інші
Опубліковано: (1995)

Nonlinear Charge Transport and Excitable Phenomena in Semiconductor Superlattices
за авторством: Luis L. Bonilla, та інші
Опубліковано: (2024-08-01)

Microscope ⁃ assisted transoral ⁃transpharyngeal reduction and fixation of basilar invagination and atlantoaxial dislocation
за авторством: Wei⁃jie ZHU, та інші
Опубліковано: (2012-08-01)

Mobility enhancement in heavily doped semiconductors via electron cloaking
за авторством: Zhou, Jiawei, та інші
Опубліковано: (2023)

Mobility enhancement in heavily doped semiconductors via electron cloaking
за авторством: Jiawei Zhou, та інші
Опубліковано: (2022-05-01)

Interplay between the Edge Dislocation and Hydrogen in Tungsten at Electronically Excited States
за авторством: Jiong‐Rong Wang, та інші
Опубліковано: (2023-08-01)