Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
EXCITATION-ENHANCED DISLOCATIO...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
EXCITATION-ENHANCED DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS - A MICROSCOPIC MECHANISM
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Maeda, N
,
Takeuchi, S
Format:
Conference item
Publicat:
1989
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
EFFECT OF SURFACE-CHARGE ON THE DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
per: Czernuszka, J
Publicat: (1989)
EFFECT OF SURFACE-CHARGE ON THE DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
per: Czernuszka, J
Publicat: (1989)
Atomistic simulation of structure and mobility of dislocation in semiconductor
per: Choo, Zhi Min.
Publicat: (2008)
Dislocations in semiconductors
per: Bigger, J
Publicat: (1992)
DISLOCATION MECHANISMS FOR TWINNING AND POLYTYPIC TRANSFORMATIONS IN SEMICONDUCTORS
per: Pirouz, P
Publicat: (1989)