Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Sprog
Alle Felter
Titel
Forfatter
Fag
Klassifikationsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Find
Udvidet
REACTION MODELS FOR THE EPITAX...
Citér dette
Stav dette
Email dette
Udskriv
Eksportér post
Eksportér til RefWorks
Eksportér til EndNoteWeb
Eksportér til EndNote
Permanent link
Export byl úspěšný —
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
Bibliografiske detaljer
Main Authors:
Foord, J
,
French, C
,
Levoguer, C
,
Davies, G
Format:
Journal article
Udgivet:
1993
Beholdninger
Beskrivelse
Lignende værker
Medarbejdervisning
Lignende værker
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
af: Foord, J, et al.
Udgivet: (1993)
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
af: Davies, G, et al.
Udgivet: (1994)
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
af: Davies, G, et al.
Udgivet: (1993)
SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V-COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
af: Davies, G, et al.
Udgivet: (1992)
An investigation of ZnSe growth by chemical beam epitaxy using modulated beam scattering and related techniques
af: Foord, J, et al.
Udgivet: (1996)