REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
প্রধান লেখক: | Foord, J, French, C, Levoguer, C, Davies, G |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
প্রকাশিত: |
1993
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
অনুযায়ী: Foord, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993) -
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
অনুযায়ী: Davies, G, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1994) -
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
অনুযায়ী: Davies, G, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993) -
SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V-COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
অনুযায়ী: Davies, G, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1992) -
An investigation of ZnSe growth by chemical beam epitaxy using modulated beam scattering and related techniques
অনুযায়ী: Foord, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1996)