REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY

REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY

Бібліографічні деталі
Автори:	Foord, J, French, C, Levoguer, C, Davies, G
Формат:	Journal article
Опубліковано:	1993

Схожі ресурси

REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1993)

SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1994)

SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1993)

SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V-COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1992)

An investigation of ZnSe growth by chemical beam epitaxy using modulated beam scattering and related techniques
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1996)

SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1991)

SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1991)

SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY INGAAS/INP GROWTH USING TRIETHYLGALLIUM, TRIISOPROPYLGALLIUM AND TRIISOBUTYLGALLIUM SOURCES
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1994)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

CHEMICAL BEAM EPITAXY AND RELATED GROWTH TECHNIQUES 1991 - PROCEEDINGS OF THE 3RD INTERNATIONAL-CONFERENCE ON CHEMICAL BEAM EPITAXY AND RELATED GROWTH TECHNIQUES OXFORD, UK, 1-5 SEPTEMBER 1991 - PREFACE
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1992)

Reactivity patterns of stibine and trisdimethylaminoantimony precursors for chemical beam epitaxial growth and etching
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1998)

DEVELOPMENT OF CHEMICAL BEAM EPITAXY FOR THE DEPOSITION OF GALLIUM NITRIDE
за авторством: Kingsley, C, та інші
Опубліковано: (1995)

Epitaxy of III-V semiconductor nanowires towards optoelectronic devices
за авторством: Gao, Q, та інші
Опубліковано: (2009)

Growth and mechanistic studies of diamond formation by chemical beam epitaxy using methyl and acetylene precursors
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1996)

Molecular beam epitaxial growth of semiconductor heterostructures for THz electronics
за авторством: Ustinov Victor M.
Опубліковано: (2018-01-01)

Epitaxial Growth and Processing of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Epitaxial Growth and Processing of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

The effect of V : III ratio on the growth of InN nanostructures by molecular beam epitaxy
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2003)

Growth and investigation of epitaxial semiconductor films
за авторством: Cullis, A
Опубліковано: (1972)

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Zhang, Peng Hua
Опубліковано: (2009)

Recent advances in the Van der Waals epitaxy growth of III‐V semiconductor nanowires on graphene
за авторством: Ezekiel Anyebe Anyebe, та інші
Опубліковано: (2021-04-01)

Epitaxial growth of bronze phase titanium dioxide by molecular beam epitaxy
за авторством: W. Guo, та інші
Опубліковано: (2019-03-01)

Multilayer Epitaxial Heterostructures with Multi-Component III–V:Fe Magnetic Semiconductors
за авторством: Alexey V. Kudrin, та інші
Опубліковано: (2023-08-01)

Mid-infrared III–V semiconductor lasers epitaxially grown on Si substrates
за авторством: Eric Tournié, та інші
Опубліковано: (2022-06-01)

Epitaxial growth of V2O3 thin films on Si(111) by molecular beam epitaxy
за авторством: Alberto Binetti, та інші
Опубліковано: (2023-06-01)

Epitaxy and Step Structures on Semiconductor Surfaces
за авторством: Mochrie, Simon G. J., та інші
Опубліковано: (2010)

Epitaxy and Step Structures on Semiconductor Surfaces
за авторством: Mochrie, Simon G. J., та інші
Опубліковано: (2010)

Epitaxy and Step Structures on Semiconductor Surfaces
за авторством: Mochrie, Simon G. J., та інші
Опубліковано: (2010)

On the growth of semiconductor-based epitaxial and oxide films from low energy ion beams
за авторством: Vancauwenberghe, Olivier P. J.
Опубліковано: (2023)

Step Structures and Epitaxy on Semiconductor Surfaces
за авторством: Mochrie, Simon G. J., та інші
Опубліковано: (2010)

Step Structures and Epitaxy on Semiconductor Surfaces
за авторством: Mochrie, Simon G. J., та інші
Опубліковано: (2010)

Step Structures and Epitaxy on Semiconductor Surfaces
за авторством: Mochrie, Simon G. J., та інші
Опубліковано: (2010)

Step Structures and Epitaxy on Semiconductor Surfaces
за авторством: Mochrie, Simon G. J., та інші
Опубліковано: (2010)