ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
প্রধান লেখক: | Nicholas, R, Kressrogers, E, Kuchar, F, Pepper, M, Portal, J, Stradling, R |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
প্রকাশিত: |
1980
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS
অনুযায়ী: Kressrogers, E, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1980) -
SHUBNIKOV-DEHAAS OSCILLATIONS IN N-CHANNEL SILICON (100) MOSFETS IN MAGNETIC-FIELDS UP TO 35-T
অনুযায়ী: Nicholas, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1979) -
THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
অনুযায়ী: Kressrogers, E, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1983) -
THE ELECTRIC SUB-BAND STRUCTURE OF ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE FROM SHUBINKOV-DEHAAS OSCILLATIONS AND INTER-SUB-BAND RESONANCE
অনুযায়ী: Kressrogers, E, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1983) -
TIME-DEPENDENT ANOMALOUS THRESHOLD IN SILICON MOS DEVICES FABRICATED ON HIGH-RESISTIVITY SUBSTRATES
অনুযায়ী: Nicholas, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1976)