Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Nicholas, R
,
Kressrogers, E
,
Kuchar, F
,
Pepper, M
,
Portal, J
,
Stradling, R
Médium:
Journal article
Vydáno:
1980
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS
Autor: Kressrogers, E, a další
Vydáno: (1980)
SHUBNIKOV-DEHAAS OSCILLATIONS IN N-CHANNEL SILICON (100) MOSFETS IN MAGNETIC-FIELDS UP TO 35-T
Autor: Nicholas, R, a další
Vydáno: (1979)
THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
Autor: Kressrogers, E, a další
Vydáno: (1983)
THE ELECTRIC SUB-BAND STRUCTURE OF ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE FROM SHUBINKOV-DEHAAS OSCILLATIONS AND INTER-SUB-BAND RESONANCE
Autor: Kressrogers, E, a další
Vydáno: (1983)
TIME-DEPENDENT ANOMALOUS THRESHOLD IN SILICON MOS DEVICES FABRICATED ON HIGH-RESISTIVITY SUBSTRATES
Autor: Nicholas, R, a další
Vydáno: (1976)