RECENT DEVELOPMENTS IN THE STUDY OF SEMICONDUCTORS BY ATOM PROBE MICROANALYSIS.
Pulsed Laser Atom Probe (PLAP) analysis has recently been applied to a range of semiconductor samples in Oxford. It has been shown for the first time that the stoichiometry of III-V semiconductors and of thin amorphous silicon layers, can be accurately analysed by the use of the PLAP. The compositio...
Автори: | Grovenor, C, Cerezo, A, Smith, G |
---|---|
Формат: | Journal article |
Мова: | English |
Опубліковано: |
1985
|
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
FIELD-ION MICROSCOPY AND ATOM PROBE MICROANALYSIS OF SEMICONDUCTOR-MATERIALS
за авторством: Grovenor, C, та інші
Опубліковано: (1983) -
RECENT DEVELOPMENTS IN ATOM PROBE MICROANALYSIS OF MATERIALS WITH ULTRAFINE MICROSTRUCTURES
за авторством: Grovenor, C, та інші
Опубліковано: (1990) -
RECENT DEVELOPMENTS IN ATOM PROBE MICROANALYSIS OF MATERIALS WITH ULTRAFINE MICROSTRUCTURES
за авторством: Grovenor, C, та інші
Опубліковано: (1990) -
RECENT DEVELOPMENTS IN POSITION-SENSITIVE ATOM-PROBE MICROANALYSIS
за авторством: Smith, G, та інші
Опубліковано: (1994) -
Some recent advances in three dimensional atomic scale microanalysis with the atom probe (invited)
за авторством: Cerezo, A, та інші
Опубліковано: (1994)