Strong carrier lifetime enhancement in GaAs nanowires coated with semiconducting polymer.

Strong carrier lifetime enhancement in GaAs nanowires coated with semiconducting polymer.

The ultrafast charge carrier dynamics in GaAs/conjugated polymer type II heterojunctions are investigated using time-resolved photoluminescence spectroscopy at 10 K. By probing the photoluminescence at the band edge of GaAs, we observe strong carrier lifetime enhancement for nanowires blended with s...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Yong, C, Noori, K, Gao, Q, Joyce, H, Tan, H, Jagadish, C, Giustino, F, Johnston, M, Herz, L
Médium:	Journal article
Jazyk:	English
Vydáno:	2012

Podobné jednotky

Picosecond carrier lifetime measurements on a single GaAs Nanowire
Autor: Parkinson, P, a další
Vydáno: (2012)

Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
Autor: Jiang, N, a další
Vydáno: (2012)

Transient terahertz conductivity of GaAs nanowires
Autor: Parkinson, P, a další
Vydáno: (2007)

Long minority carrier lifetime in Au-catalyzed GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires
Autor: Jiang, N, a další
Vydáno: (2012)

Noncontact measurement of charge carrier lifetime and mobility in GaN nanowires.
Autor: Parkinson, P, a další
Vydáno: (2012)

Enhanced minority carrier lifetimes in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires through shell growth optimization.
Autor: Jiang, N, a další
Vydáno: (2013)

Increased Photoconductivity Lifetime in GaAs Nanowires by Controlled n-Type and p-Type Doping.
Autor: Boland, J, a další
Vydáno: (2016)

Electron mobilities approaching bulk limits in "surface-free" GaAs nanowires.
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2014)

The influence of surfaces on the transient terahertz conductivity and electron mobility of GaAs nanowires
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2017)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2013)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2007)

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2008)

Increased photoconductivity lifetimes in GaAs nanowires via n-type and p-type shell doping
Autor: Boland, J, a další
Vydáno: (2016)

Self-healing of fractured GaAs nanowires.
Autor: Wang, Y, a další
Vydáno: (2011)

Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
Autor: Perera, S, a další
Vydáno: (2008)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2011)

Understanding the true shape of Au-catalyzed GaAs nanowires.
Autor: Jiang, N, a další
Vydáno: (2014)

Growth mechanism of truncated triangular GaAs nanowires
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (2006)

Growth of straight InAs-on-GaAs nanowire heterostructures
Autor: Messing, M, a další
Vydáno: (2011)

Super deformability and Young's modulus of GaAs nanowires.
Autor: Wang, Y, a další
Vydáno: (2011)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2006)

Vertically standing Ge nanowires on GaAs(110) substrates
Autor: Song, MS, a další
Vydáno: (2008)

Formation of hierarchical InAs nanoring/GaAs nanowire heterostructures.
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2009)

Improved carrier collection in intermixed InGaAs/GaAs quantum wells
Autor: Dao, L, a další
Vydáno: (1998)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
Autor: Wang, H, a další
Vydáno: (2012)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
Autor: Smith, L, a další
Vydáno: (2007)

Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.
Autor: Zhang, X, a další
Vydáno: (2009)

Lattice dynamics and carrier recombination in GaAs/GaAsBi nanowires
Autor: M. Jansson, a další
Vydáno: (2023-08-01)

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2006)

Polarity driven formation of InAs/GaAs hierarchical nanowire heterostructures
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2008)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
Autor: Titova, L, a další
Vydáno: (2006)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2010)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
Autor: Jackson, H, a další
Vydáno: (2008)

Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers
Autor: Saxena, D, a další
Vydáno: (2013)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2011)

Novel growth phenomena observed in axial InAs/GaAs nanowire heterostructures.
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2007)

Evolution of wurtzite structured GaAs shells around InAs nanowire cores
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2009)

Facet-Related Non-uniform Photoluminescence in Passivated GaAs Nanowires
Autor: Nian Jiang, a další
Vydáno: (2020-12-01)

Carrier lifetime and mobility enhancement in nearly defect-free core-shell nanowires measured using time-resolved terahertz spectroscopy.
Autor: Parkinson, P, a další
Vydáno: (2009)