Strong carrier lifetime enhancement in GaAs nanowires coated with semiconducting polymer.

Strong carrier lifetime enhancement in GaAs nanowires coated with semiconducting polymer.

The ultrafast charge carrier dynamics in GaAs/conjugated polymer type II heterojunctions are investigated using time-resolved photoluminescence spectroscopy at 10 K. By probing the photoluminescence at the band edge of GaAs, we observe strong carrier lifetime enhancement for nanowires blended with s...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Yong, C, Noori, K, Gao, Q, Joyce, H, Tan, H, Jagadish, C, Giustino, F, Johnston, M, Herz, L
פורמט:	Journal article
שפה:	English
יצא לאור:	2012

פריטים דומים

Picosecond carrier lifetime measurements on a single GaAs Nanowire
מאת: Parkinson, P, et al.
יצא לאור: (2012)

Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
מאת: Jiang, N, et al.
יצא לאור: (2012)

Transient terahertz conductivity of GaAs nanowires
מאת: Parkinson, P, et al.
יצא לאור: (2007)

Long minority carrier lifetime in Au-catalyzed GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires
מאת: Jiang, N, et al.
יצא לאור: (2012)

Noncontact measurement of charge carrier lifetime and mobility in GaN nanowires.
מאת: Parkinson, P, et al.
יצא לאור: (2012)

Enhanced minority carrier lifetimes in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires through shell growth optimization.
מאת: Jiang, N, et al.
יצא לאור: (2013)

Increased Photoconductivity Lifetime in GaAs Nanowires by Controlled n-Type and p-Type Doping.
מאת: Boland, J, et al.
יצא לאור: (2016)

Electron mobilities approaching bulk limits in "surface-free" GaAs nanowires.
מאת: Joyce, H, et al.
יצא לאור: (2014)

The influence of surfaces on the transient terahertz conductivity and electron mobility of GaAs nanowires
מאת: Joyce, H, et al.
יצא לאור: (2017)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
מאת: Joyce, H, et al.
יצא לאור: (2013)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
מאת: Joyce, H, et al.
יצא לאור: (2007)

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
מאת: Paladugu, M, et al.
יצא לאור: (2008)

Increased photoconductivity lifetimes in GaAs nanowires via n-type and p-type shell doping
מאת: Boland, J, et al.
יצא לאור: (2016)

Self-healing of fractured GaAs nanowires.
מאת: Wang, Y, et al.
יצא לאור: (2011)

Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
מאת: Perera, S, et al.
יצא לאור: (2008)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
מאת: Joyce, H, et al.
יצא לאור: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
מאת: Joyce, H, et al.
יצא לאור: (2011)

Understanding the true shape of Au-catalyzed GaAs nanowires.
מאת: Jiang, N, et al.
יצא לאור: (2014)

Growth mechanism of truncated triangular GaAs nanowires
מאת: Zou, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Growth of straight InAs-on-GaAs nanowire heterostructures
מאת: Messing, M, et al.
יצא לאור: (2011)

Super deformability and Young's modulus of GaAs nanowires.
מאת: Wang, Y, et al.
יצא לאור: (2011)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
מאת: Paladugu, M, et al.
יצא לאור: (2006)

Vertically standing Ge nanowires on GaAs(110) substrates
מאת: Song, MS, et al.
יצא לאור: (2008)

Formation of hierarchical InAs nanoring/GaAs nanowire heterostructures.
מאת: Paladugu, M, et al.
יצא לאור: (2009)

Improved carrier collection in intermixed InGaAs/GaAs quantum wells
מאת: Dao, L, et al.
יצא לאור: (1998)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
מאת: Wang, H, et al.
יצא לאור: (2012)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
מאת: Smith, L, et al.
יצא לאור: (2007)

Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.
מאת: Zhang, X, et al.
יצא לאור: (2009)

Lattice dynamics and carrier recombination in GaAs/GaAsBi nanowires
מאת: M. Jansson, et al.
יצא לאור: (2023-08-01)

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition
מאת: Joyce, H, et al.
יצא לאור: (2006)

Polarity driven formation of InAs/GaAs hierarchical nanowire heterostructures
מאת: Paladugu, M, et al.
יצא לאור: (2008)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
מאת: Titova, L, et al.
יצא לאור: (2006)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
מאת: Kang, J, et al.
יצא לאור: (2010)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
מאת: Jackson, H, et al.
יצא לאור: (2008)

Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers
מאת: Saxena, D, et al.
יצא לאור: (2013)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
מאת: Kang, J, et al.
יצא לאור: (2011)

Novel growth phenomena observed in axial InAs/GaAs nanowire heterostructures.
מאת: Paladugu, M, et al.
יצא לאור: (2007)

Evolution of wurtzite structured GaAs shells around InAs nanowire cores
מאת: Paladugu, M, et al.
יצא לאור: (2009)

Facet-Related Non-uniform Photoluminescence in Passivated GaAs Nanowires
מאת: Nian Jiang, et al.
יצא לאור: (2020-12-01)

Carrier lifetime and mobility enhancement in nearly defect-free core-shell nanowires measured using time-resolved terahertz spectroscopy.
מאת: Parkinson, P, et al.
יצא לאור: (2009)