Strong carrier lifetime enhancement in GaAs nanowires coated with semiconducting polymer.

Strong carrier lifetime enhancement in GaAs nanowires coated with semiconducting polymer.

The ultrafast charge carrier dynamics in GaAs/conjugated polymer type II heterojunctions are investigated using time-resolved photoluminescence spectroscopy at 10 K. By probing the photoluminescence at the band edge of GaAs, we observe strong carrier lifetime enhancement for nanowires blended with s...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Yong, C, Noori, K, Gao, Q, Joyce, H, Tan, H, Jagadish, C, Giustino, F, Johnston, M, Herz, L
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2012

Những quyển sách tương tự

Picosecond carrier lifetime measurements on a single GaAs Nanowire
Bằng: Parkinson, P, et al.
Được phát hành: (2012)

Improvement of minority carrier lifetime in GaAs/AlxGa 1-xAs core-shell nanowires
Bằng: Jiang, N, et al.
Được phát hành: (2012)

Transient terahertz conductivity of GaAs nanowires
Bằng: Parkinson, P, et al.
Được phát hành: (2007)

Long minority carrier lifetime in Au-catalyzed GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires
Bằng: Jiang, N, et al.
Được phát hành: (2012)

Noncontact measurement of charge carrier lifetime and mobility in GaN nanowires.
Bằng: Parkinson, P, et al.
Được phát hành: (2012)

Enhanced minority carrier lifetimes in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires through shell growth optimization.
Bằng: Jiang, N, et al.
Được phát hành: (2013)

Increased Photoconductivity Lifetime in GaAs Nanowires by Controlled n-Type and p-Type Doping.
Bằng: Boland, J, et al.
Được phát hành: (2016)

Electron mobilities approaching bulk limits in "surface-free" GaAs nanowires.
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2014)

The influence of surfaces on the transient terahertz conductivity and electron mobility of GaAs nanowires
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2017)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2013)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2007)

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2008)

Increased photoconductivity lifetimes in GaAs nanowires via n-type and p-type shell doping
Bằng: Boland, J, et al.
Được phát hành: (2016)

Self-healing of fractured GaAs nanowires.
Bằng: Wang, Y, et al.
Được phát hành: (2011)

Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
Bằng: Perera, S, et al.
Được phát hành: (2008)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2011)

Understanding the true shape of Au-catalyzed GaAs nanowires.
Bằng: Jiang, N, et al.
Được phát hành: (2014)

Growth mechanism of truncated triangular GaAs nanowires
Bằng: Zou, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Growth of straight InAs-on-GaAs nanowire heterostructures
Bằng: Messing, M, et al.
Được phát hành: (2011)

Super deformability and Young's modulus of GaAs nanowires.
Bằng: Wang, Y, et al.
Được phát hành: (2011)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2006)

Vertically standing Ge nanowires on GaAs(110) substrates
Bằng: Song, MS, et al.
Được phát hành: (2008)

Formation of hierarchical InAs nanoring/GaAs nanowire heterostructures.
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2009)

Improved carrier collection in intermixed InGaAs/GaAs quantum wells
Bằng: Dao, L, et al.
Được phát hành: (1998)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
Bằng: Wang, H, et al.
Được phát hành: (2012)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
Bằng: Smith, L, et al.
Được phát hành: (2007)

Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.
Bằng: Zhang, X, et al.
Được phát hành: (2009)

Lattice dynamics and carrier recombination in GaAs/GaAsBi nanowires
Bằng: M. Jansson, et al.
Được phát hành: (2023-08-01)

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2006)

Polarity driven formation of InAs/GaAs hierarchical nanowire heterostructures
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2008)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
Bằng: Titova, L, et al.
Được phát hành: (2006)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
Bằng: Kang, J, et al.
Được phát hành: (2010)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
Bằng: Jackson, H, et al.
Được phát hành: (2008)

Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers
Bằng: Saxena, D, et al.
Được phát hành: (2013)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
Bằng: Kang, J, et al.
Được phát hành: (2011)

Novel growth phenomena observed in axial InAs/GaAs nanowire heterostructures.
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2007)

Evolution of wurtzite structured GaAs shells around InAs nanowire cores
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2009)

Facet-Related Non-uniform Photoluminescence in Passivated GaAs Nanowires
Bằng: Nian Jiang, et al.
Được phát hành: (2020-12-01)

Carrier lifetime and mobility enhancement in nearly defect-free core-shell nanowires measured using time-resolved terahertz spectroscopy.
Bằng: Parkinson, P, et al.
Được phát hành: (2009)