Highly effective separation of semiconducting carbon nanotubes verified via short-channel devices fabricated using dip-pen nanolithography
We have verified a highly effective separation of semiconducting single-walled carbon nanotubes (sc-SWNTs) via statistical analysis of short-channel devices fabricated using multipen dip-pen nanolithography. Our SWNT separation technique utilizes a polymer (rr-P3DDT) that selectively interacts with...
Հիմնական հեղինակներ: | Park, S, Lee, H, Wang, H, Selvarasah, S, Dokmeci, MR, Park, Y, Cha, S, Kim, J, Bao, Z |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
2012
|
Նմանատիպ նյութեր
-
The evolution of dip-pen nanolithography
: Ginger, David S., և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
Matrix-assisted dip-pen nanolithography
: Su, Jin Yao.
Հրապարակվել է: (2010) -
Dip pen nanolithography stamp tip
: Amro, Nabil A., և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
High-throughput dip-pen-nanolithography-based fabrication of Si nanostructures
: Fragala, Joseph, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
Characterization of the Dip Pen Nanolithography Process for Nanomanufacturing
: Saha, Sourabh Kumar, և այլն
Հրապարակվել է: (2018)