Three-dimensional in situ photocurrent mapping for nanowire photovoltaics.
Devices based upon semiconductor nanowires provide many well-known advantages for next-generation photovoltaics, however, limited experimental techniques exist to determine essential electrical parameters within these devices. We present a novel application of a technique based upon two-photon induc...
Հիմնական հեղինակներ: | Parkinson, P, Lee, Y, Fu, L, Breuer, S, Tan, H, Jagadish, C |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
2013
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Distinct photocurrent response of individual GaAs nanowires induced by n-type doping.
: Xia, H, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
InP nanowires grown by SA-MOVPE
: Gao, Q, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
III-V nanowires for optoelectronic applications
: Tan, H, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
Growth and characterization of GaAs1and#x2212;xSbx nanowires
: Yuan, X, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
Innovations in bulk photovoltaics: design strategies for boosted photocurrent
: Akhil Sreevalsan, և այլն
Հրապարակվել է: (2025-02-01)