Anodic-oxide-induced interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells

Anodic-oxide-induced interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Yuan, S, Kim, Y, Tan, H, Jagadish, C, Burke, P, Dao, L, Gal, M, Chan, M, Li, E, Zou, J, Cai, D, Cockayne, D, Cohen, R
التنسيق:	Journal article
منشور في:	1998

مواد مشابهة

Novel impurity-free interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells by anodization and rapid thermal annealing
حسب: Yuan, S, وآخرون
منشور في: (1997)

Effects of interdiffusion on the luminescence of InGaAs/GaAs quantum dots
حسب: Leon, R, وآخرون
منشور في: (1996)

TEM study of compositional profile in AlGaAs/GaAs quantum wells
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1998)

V-grooved GaAs/AlGaAs quantum wires with side wall quantum wells intermixed by pulsed anodization and rapid thermal annealing
حسب: Kim, Y, وآخرون
منشور في: (1996)

Interdiffusion in narrow InGaAsN∕GaAs quantum wells
حسب: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2013)

Optical properties of arsenic ions implanted GaAs/AlGaAs V-grooved quantum wires
حسب: Zhao, Q, وآخرون
منشور في: (2000)

GaAs/AlAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector
حسب: Fan, Weijun
منشور في: (2008)

Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing
حسب: Li, N, وآخرون
منشور في: (2000)

Proton implantation and rapid thermal annealing effects on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors
حسب: Li, N, وآخرون
منشور في: (1999)

Self-Consistent Study of GaAs/AlGaAs Quantum Wells with Modulated Doping
حسب: John A. Gil-Corrales, وآخرون
منشور في: (2023-03-01)

Room temperature spin diffusion in (110) GaAs/AlGaAs quantum wells
حسب: Tian Haitao, وآخرون
منشور في: (2011-01-01)

Spatially resolved luminescence investigation of AlGaAs/GaAs single quantum wires modified by selective implantation and annealing
حسب: Liu, X, وآخرون
منشور في: (1999)

Deep-level Transient Spectroscopy of GaAs/AlGaAs Multi-Quantum Wells Grown on (100) and (311)B GaAs Substrates
حسب: Shafi M, وآخرون
منشور في: (2010-01-01)

Growth of GaAs/AlGaAs quantum well lasers and GaAs/InGaAs vertical cavity surface emitting lasers by MBE
حسب: Li, Chaoyong.
منشور في: (2009)

Droplet epitaxy of strain-free GaAs/AlGaAs quantum molecules for optoelectronic applications
حسب: Lei, W, وآخرون
منشور في: (2012)

GaAs/AlGaAs far-infrared quantum cascade laser
حسب: Callebaut, Hans, 1975-
منشور في: (2009)

GaAs/AlGaAs mid-infrared quantum cascade laser
حسب: Williams, Benjamin S. (Benjamin Stanford), 1974-
منشور في: (2009)

Study of quantum phenomena in intermixed GaAs/AlGaAs and InGaAs/InGaAsP quantum well structures
حسب: Au Yeung, Tin Cheung.
منشور في: (2008)

Nondegenerate two-photon absorption in GaAs/AlGaAs multiple quantum well waveguides
حسب: Nicholas Cox, وآخرون
منشور في: (2020-03-01)

Anisotropic in-plane spin splitting in an asymmetric (001) GaAs/AlGaAs quantum well
حسب: Zhang Xiuwen, وآخرون
منشور في: (2011-01-01)

Temperature and electron density dependence of spin relaxation in GaAs/AlGaAs quantum well
حسب: Han Lifen, وآخرون
منشور في: (2011-01-01)

Effects of low-temperature capping on the optical properties of GaAs/AlGaAs quantum wells
حسب: Jo Masafumi, وآخرون
منشور في: (2011-01-01)

Improved carrier collection in intermixed InGaAs/GaAs quantum wells
حسب: Dao, L, وآخرون
منشور في: (1998)

Study of interdiffusion in GaAsSbN∕GaAs quantum well structure by ten-band k⋅p method
حسب: Dang, Y. X., وآخرون
منشور في: (2013)

Laser Processing For Nanoscale Size Quantum Wires of AlGaAs/GaAs
حسب: Ahlam H. Jaffer, وآخرون
منشور في: (2014-02-01)

Linearity of power AlGaAs/GaAs HBTs
حسب: Chatterjee, Ritwik, 1974-
منشور في: (2009)

Simulations of AlGaAs/GaAs heterojunction phototransistors
حسب: Ściana Beata, وآخرون
منشور في: (2011-08-01)

Far-infrared modulated photocurrent in GaAs/AlGaAs coupled quantum well tunnelling structures
حسب: Stone, R, وآخرون
منشور في: (1996)

Electric field dependence of the spin relaxation anisotropy in (111) GaAs/AlGaAs quantum wells
حسب: A Balocchi, وآخرون
منشور في: (2013-01-01)

Photoresponse of Long-Wavelength AlGaAs/GaAs Quantum Cascade Detectors
حسب: Liang Li, وآخرون
منشور في: (2015-01-01)

GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors
حسب: Li, Hui
منشور في: (2008)

MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates
حسب: Nikolay Baidus, وآخرون
منشور في: (2018-07-01)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
حسب: Smith, L, وآخرون
منشور في: (2007)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
حسب: Joyce, H, وآخرون
منشور في: (2007)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
حسب: Kang, J, وآخرون
منشور في: (2011)

Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
حسب: Maxim A. Ladugin, وآخرون
منشور في: (2019-06-01)

Phonon spectral density in a GaAs/AlGaAs double quantum dot
حسب: A. Hofmann, وآخرون
منشور في: (2020-08-01)

High performance GaAs/AlGaAs radial heterostructure nanowires grown by MOCVD
حسب: Jiang, N, وآخرون
منشور في: (2013)

Proton irradiation-induced intermixing in InGaAs/(Al)GaAs quantum wells and quantum-well lasers
حسب: Fu, L, وآخرون
منشور في: (1999)

Improved GaAs nanowire solar cells using AlGaAs for surface passivation
حسب: Lee, Y, وآخرون
منشور في: (2012)